銅線に電流が流れ、銅の鍋が熱をよく通すのは、金属の中を自由に動き回れる電子がいるからです。この記事は、その電子を「金属の中を飛び回る粒の気体」とみなすと、電気の通りやすさや熱の通りやすさがどこまで説明できるのか、そしてどこで食い違うのかをたどります。読み終えると、金属の電気抵抗や比熱の大きさを、電子の数密度などから自分で見積もれるようになります。
Drude 模型は、金属の電子を「ときどき衝突する古典粒子の気体」とみなします。運動方程式 p ˙ = − p / τ + F \dot{\boldsymbol{p}}=-\boldsymbol{p}/\tau+\boldsymbol{F} p ˙ = − p / τ + F だけから、Ohm の法則 σ = n e 2 τ / m \sigma=ne^2\tau/m σ = n e 2 τ / m 、Hall 係数 R H = − 1 / ( n e ) R_H=-1/(ne) R H = − 1/ ( n e ) (磁場をかけたとき電流に垂直な向きに生じる電場の強さの係数)、交流応答とプラズマ周波数(金属が光を反射するか通すかの境目の振動数)が得られます。
一方で Drude 模型は、電子比熱を古典値 3 2 k B \tfrac32k_B 2 3 k B と見積もるため、実測の約 100 分の 1 という小ささを説明できません。
量子論の答えは、電子がフェルミ粒子であることです。周期境界条件のもとでは許される波数が k k k 空間の格子点をなし、パウリの排他律によりフェルミ球の内側が埋まります。状態密度は D ( ε ) ∝ ε D(\varepsilon)\propto\sqrt\varepsilon D ( ε ) ∝ ε (3 次元)です。
温度を上げても動けるのは ε F \varepsilon_F ε F の周り幅 k B T k_BT k B T の電子だけなので、比熱は C = γ T C=\gamma T C = γ T と温度に比例し、γ = π 2 3 k B 2 D ( ε F ) \gamma=\frac{\pi^2}{3}k_B^2D(\varepsilon_F) γ = 3 π 2 k B 2 D ( ε F ) です。この関係は状態密度が自由電子的でなくても一般に成り立ちます。
Wiedemann–Franz 則(熱伝導率と電気伝導度の比 κ / σ T \kappa/\sigma T κ / σ T が物質によらない)は、Drude 模型の誤差が偶然打ち消し合った値を与えていました。Sommerfeld の扱いで正しい値 π 2 3 ( k B / e ) 2 = 2.44 × 10 − 8 W Ω K − 2 \frac{\pi^2}3(k_B/e)^2=2.44\times10^{-8}\ \mathrm{W\,\Omega\,K^{-2}} 3 π 2 ( k B / e ) 2 = 2.44 × 1 0 − 8 W Ω K − 2 が出ます。
自由電子気体の限界(Hall 係数の符号や、金属・絶縁体の区別)は、次のBloch の定理とバンド理論 で結晶ポテンシャルを入れて解決します。
この記事で使う事前知識
周期境界条件と波数の数え方 : 一辺 L L L の箱で波が端でつながるとして、許される波数を 2 π / L 2\pi/L 2 π / L の間隔の格子点で数える方法。→ 結晶構造と格子振動
Fermi 分布とパウリの排他律 : 電子は 1 つの状態に 1 個までしか入れず、温度 T T T ではエネルギー ε \varepsilon ε の状態が占有される確率が f ( ε ) f(\varepsilon) f ( ε ) で与えられる、という統計。→ 量子統計
化学ポテンシャル : 粒子を 1 個足すときに系のエネルギーがどれだけ増えるかを表す量。→ 化学ポテンシャル
変位電流 : 電場が時間変化すると、電流と同じように磁場を作る項。→ マクスウェル方程式
Dulong–Petit の値 : 高温での格子の比熱が、原子 1 個あたり 3 k B 3k_B 3 k B になるという結果。→ 結晶構造と格子振動
銅の原子は 29 個の電子をもちます。しかし固体銅の電気的・熱的な性質にかかわるのは、最外殻の 1 個の電子(4s 電子)だけです。この電子は、もはや特定のイオンに束縛されておらず、結晶全体を動き回る伝導電子 になっています。残りの内殻電子は原子核とともにイオン芯(原子から価電子を除いた、動かない正電荷の部分)としてほぼ動かないので、金属は「正のイオン格子の中を電子の気体が動いている」と大胆に描けます。
この描像の最初の理論は、1900 年に P. Drude が作りました。電子の発見(1897)の直後で、量子力学が生まれる四半世紀前です。Drude は、電子を気体分子と同じ古典統計で扱い、電子がイオンに衝突する間隔を τ \tau τ と置いて、Ohm の法則と Wiedemann–Franz 則を説明しました。1928 年に Sommerfeld は、同じ描像の中で電子に Fermi–Dirac 統計を適用して、決定的な食い違い(比熱)を解消します。この記事では、この 2 段階を順に見ます。
前章の結晶構造と格子振動 で作った道具、周期境界条件と「V / ( 2 π ) 3 V/(2\pi)^3 V / ( 2 π ) 3 あたり 1 状態」という波数の数え方は、そのまま電子にも使います。
定義 2.1 (Drude 模型 ) ↗
伝導電子(電荷 − e -e − e 、質量 m m m 、数密度 n n n )の気体について、次を仮定する。
衝突と衝突の間、電子は他の電子やイオンの力を受けず、外力(電場・磁場)にだけ従って運動する(独立電子近似 ・自由電子近似 )。
電子は単位時間あたり確率 1 / τ 1/\tau 1/ τ で衝突する。時間 d t dt d t のあいだに衝突する確率は d t / τ dt/\tau d t / τ である。τ \tau τ を緩和時間 という。
衝突の直後、電子の速度は衝突前の速度と無関係で、方向はランダムである(平均すれば速度ゼロ)。
定理 2.2 (Drude の電気伝導度 ) ✓
一様な電場 E \boldsymbol{E} E のもとで、定常状態の電流密度は j = σ E \boldsymbol{j}=\sigma\boldsymbol{E} j = σ E (Ohm の法則)で、
σ = n e 2 τ m \sigma=\frac{ne^2\tau}{m} σ = m n e 2 τ である。より一般に、電子の平均運動量 p ( t ) \boldsymbol{p}(t) p ( t ) は d p d t = − p τ + F ( t ) \dfrac{d\boldsymbol{p}}{dt}=-\dfrac{\boldsymbol{p}}{\tau}+\boldsymbol{F}(t) d t d p = − τ p + F ( t ) に従う。
証明(定理 2.2) 時刻 t t t に電子の平均運動量が p ( t ) \boldsymbol{p}(t) p ( t ) だったとします。次の d t dt d t のあいだに、確率 1 − d t / τ 1-dt/\tau 1 − d t / τ で衝突せず、外力 F \boldsymbol{F} F から運動量 F d t \boldsymbol{F}dt F d t をもらいます。確率 d t / τ dt/\tau d t / τ で衝突すると、衝突後の速度は方向がランダム(仮定 3)なので平均運動量への寄与は 0 0 0 です(衝突後に外力から得る O ( d t 2 ) O(dt^2) O ( d t 2 ) は無視)。したがって
p ( t + d t ) = ( 1 − d t τ ) ( p ( t ) + F d t ) + O ( d t 2 ) , \boldsymbol{p}(t+dt)=\left(1-\frac{dt}{\tau}\right)\left(\boldsymbol{p}(t)+\boldsymbol{F}dt\right)+O(dt^2), p ( t + d t ) = ( 1 − τ d t ) ( p ( t ) + F d t ) + O ( d t 2 ) , これを整理して d t → 0 dt\to0 d t → 0 とすれば、d p / d t = − p / τ + F d\boldsymbol{p}/dt=-\boldsymbol{p}/\tau+\boldsymbol{F} d p / d t = − p / τ + F を得ます。電場中では F = − e E \boldsymbol{F}=-e\boldsymbol{E} F = − e E で、定常状態は d p / d t = 0 d\boldsymbol{p}/dt=0 d p / d t = 0 より p = − e E τ \boldsymbol{p}=-e\boldsymbol{E}\tau p = − e E τ 、平均速度 v = p / m = − e τ E / m \boldsymbol{v}=\boldsymbol{p}/m=-e\tau\boldsymbol{E}/m v = p / m = − e τ E / m 。電流密度は j = − n e v = n e 2 τ m E \boldsymbol{j}=-ne\boldsymbol{v}=\dfrac{ne^2\tau}m\boldsymbol{E} j = − n e v = m n e 2 τ E です。
∎
例 2.3 (銅の緩和時間と平均自由行程 )
室温の銅は、電気抵抗率 ρ = 1 / σ = 1.7 × 10 − 8 Ω m \rho=1/\sigma=1.7\times10^{-8}\ \Omega\,\mathrm{m} ρ = 1/ σ = 1.7 × 1 0 − 8 Ω m 、電子数密度 n = 8.5 × 10 28 m − 3 n=8.5\times10^{28}\ \mathrm{m^{-3}} n = 8.5 × 1 0 28 m − 3 です。定理 2.2 から
τ = m n e 2 ρ = 9.11 × 10 − 31 ( 8.5 × 10 28 ) ( 1.60 × 10 − 19 ) 2 ( 1.7 × 10 − 8 ) = 2.5 × 10 − 14 s \tau=\frac{m}{ne^2\rho}=\frac{9.11\times10^{-31}}{(8.5\times10^{28})(1.60\times10^{-19})^2(1.7\times10^{-8})}=2.5\times10^{-14}\ \mathrm{s} τ = n e 2 ρ m = ( 8.5 × 1 0 28 ) ( 1.60 × 1 0 − 19 ) 2 ( 1.7 × 1 0 − 8 ) 9.11 × 1 0 − 31 = 2.5 × 1 0 − 14 s で、約 25 fs です。平均自由行程 ℓ = v τ \ell=v\tau ℓ = v τ は、Drude が仮定した古典的な熱速度 v ∼ 3 k B T / m ≈ 1.2 × 10 5 m / s v\sim\sqrt{3k_BT/m}\approx1.2\times10^5\ \mathrm{m/s} v ∼ 3 k B T / m ≈ 1.2 × 1 0 5 m/s なら ℓ ≈ 3 n m \ell\approx3\ \mathrm{nm} ℓ ≈ 3 nm (原子間隔 0.26 n m 0.26\ \mathrm{nm} 0.26 nm の約 10 倍)です。ところが後で見るように、実際の電子速度はフェルミ速度 v F = 1.57 × 10 6 m / s v_F=1.57\times10^6\ \mathrm{m/s} v F = 1.57 × 1 0 6 m/s で、ℓ = v F τ ≈ 39 n m \ell=v_F\tau\approx39\ \mathrm{nm} ℓ = v F τ ≈ 39 nm 、すなわち原子間隔の約 150 倍になります。電子は、衝突相手のイオンを次々に「すり抜けて」いるわけで、これは古典的な粒子の衝突では理解できず、波としての電子が周期的な結晶中を伝わる(次章)ことで説明されます。
電場が E ( t ) = E 0 e − i ω t \boldsymbol{E}(t)=\boldsymbol{E}_0e^{-i\omega t} E ( t ) = E 0 e − iω t のとき、p ( t ) = p 0 e − i ω t \boldsymbol{p}(t)=\boldsymbol{p}_0e^{-i\omega t} p ( t ) = p 0 e − iω t と置くと 定理 2.2 の運動方程式は ( − i ω + 1 / τ ) p 0 = − e E 0 (-i\omega+1/\tau)\boldsymbol{p}_0=-e\boldsymbol{E}_0 ( − iω + 1/ τ ) p 0 = − e E 0 、したがって p 0 = − e τ E 0 / ( 1 − i ω τ ) \boldsymbol{p}_0=-e\tau\boldsymbol{E}_0/(1-i\omega\tau) p 0 = − e τ E 0 / ( 1 − iω τ ) 、
σ ( ω ) = σ 0 1 − i ω τ , σ 0 = n e 2 τ m . \sigma(\omega)=\frac{\sigma_0}{1-i\omega\tau},\qquad\sigma_0=\frac{ne^2\tau}m . σ ( ω ) = 1 − iω τ σ 0 , σ 0 = m n e 2 τ .
電磁波に対する応答は、Maxwell 方程式(定義 3.1[マクスウェル方程式と電磁波] )のアンペール・マクスウェルの法則で決まります。この法則は、磁場を作るものとして、電流と、電場の時間変化による変位電流の 2 つを数えます。ここでは電流 j = σ E \boldsymbol{j}=\sigma\boldsymbol{E} j = σ E と変位電流 ε 0 ∂ t E = − i ω ε 0 E \varepsilon_0\partial_t\boldsymbol{E}=-i\omega\varepsilon_0\boldsymbol{E} ε 0 ∂ t E = − iω ε 0 E の和 − i ω ( ε 0 + i σ / ω ) E -i\omega\left(\varepsilon_0+i\sigma/\omega\right)\boldsymbol{E} − iω ( ε 0 + iσ / ω ) E になります。そこで比誘電率
ε r ( ω ) = 1 + i σ ( ω ) ε 0 ω \varepsilon_r(\omega)=1+\frac{i\sigma(\omega)}{\varepsilon_0\omega} ε r ( ω ) = 1 + ε 0 ω iσ ( ω )
を定義できます。
命題 2.4 (プラズマ周波数 ) ✓
ω τ ≫ 1 \omega\tau\gg1 ω τ ≫ 1 の領域で、Drude 模型の比誘電率は
ε r ( ω ) = 1 − ω p 2 ω 2 , ω p = n e 2 ε 0 m \varepsilon_r(\omega)=1-\frac{\omega_p^2}{\omega^2},\qquad\omega_p=\sqrt{\frac{ne^2}{\varepsilon_0m}} ε r ( ω ) = 1 − ω 2 ω p 2 , ω p = ε 0 m n e 2 となる。ω < ω p \omega<\omega_p ω < ω p では ε r < 0 \varepsilon_r<0 ε r < 0 で電磁波は金属内に進入できず反射される。ω > ω p \omega>\omega_p ω > ω p では ε r > 0 \varepsilon_r>0 ε r > 0 で金属は透明になる。
証明(命題 2.4) ω τ ≫ 1 \omega\tau\gg1 ω τ ≫ 1 では σ ( ω ) ≃ σ 0 / ( − i ω τ ) = i n e 2 / ( m ω ) \sigma(\omega)\simeq\sigma_0/(-i\omega\tau)=i\,ne^2/(m\omega) σ ( ω ) ≃ σ 0 / ( − iω τ ) = i n e 2 / ( mω ) 。これを ε r \varepsilon_r ε r の式に入れると ε r = 1 + i ε 0 ω ⋅ i n e 2 m ω = 1 − n e 2 ε 0 m ω 2 \varepsilon_r=1+\dfrac{i}{\varepsilon_0\omega}\cdot\dfrac{ine^2}{m\omega}=1-\dfrac{ne^2}{\varepsilon_0m\omega^2} ε r = 1 + ε 0 ω i ⋅ mω in e 2 = 1 − ε 0 m ω 2 n e 2 です。屈折率は ε r \sqrt{\varepsilon_r} ε r で、ε r < 0 \varepsilon_r<0 ε r < 0 なら純虚数(波が指数関数的に減衰)、ε r > 0 \varepsilon_r>0 ε r > 0 なら実数(伝搬)です。
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下の図は、ω τ ≫ 1 \omega\tau\gg1 ω τ ≫ 1 での ε r ( ω ) \varepsilon_r(\omega) ε r ( ω ) を横軸 ω / ω p \omega/\omega_p ω / ω p に対して描いたものです。ω p \omega_p ω p を境に符号が変わり、それより低い側が反射、高い側が透過の領域です。
ω_p 0.5ω_p 振動数 ω ε_r ε_r < 0:反射 ε_r > 0:透過 1 に近づく Drude 模型の比誘電率 ε_r = 1 − (ω_p/ω)²。ω = ω_p でゼロになり、それより低い振動数では負(反射)、高い振動数では正(透過)。横軸は ω/ω_p = 0.5 から 2.5 までを示す。
例 2.5 (ナトリウムの紫外透明性 )
ナトリウムは n = 2.65 × 10 28 m − 3 n=2.65\times10^{28}\ \mathrm{m^{-3}} n = 2.65 × 1 0 28 m − 3 なので、ω p = n e 2 / ε 0 m = 9.2 × 10 15 r a d / s \omega_p=\sqrt{ne^2/\varepsilon_0m}=9.2\times10^{15}\ \mathrm{rad/s} ω p = n e 2 / ε 0 m = 9.2 × 1 0 15 rad/s 、ℏ ω p = 6.0 e V \hbar\omega_p=6.0\ \mathrm{eV} ℏ ω p = 6.0 eV (波長 λ p = 2 π c / ω p ≈ 205 n m \lambda_p=2\pi c/\omega_p\approx205\ \mathrm{nm} λ p = 2 π c / ω p ≈ 205 nm )です。可視光(ℏ ω ≈ 2 \hbar\omega\approx2 ℏ ω ≈ 2 –3 e V 3\ \mathrm{eV} 3 eV )は反射され、紫外(波長が約 210 n m 210\ \mathrm{nm} 210 nm より短い)は透過する、という予言は、実測のアルカリ金属の振る舞いとよく合います。ここまでは Drude 模型の成功です。
Drude 模型で、一様な磁束密度 B = B z ^ \boldsymbol{B}=B\hat{z} B = B z ^ を加えます。力は F = − e ( E + v × B ) \boldsymbol{F}=-e(\boldsymbol{E}+\boldsymbol{v}\times\boldsymbol{B}) F = − e ( E + v × B ) です。
命題 2.6 (Drude 模型の Hall 係数 ) ✓
定常状態で、x x x 方向に電流 j x j_x j x を流し、y y y 方向を開放(j y = 0 j_y=0 j y = 0 )にしたとき、y y y 方向に Hall 電場が生じ、
R H = E y j x B = − 1 n e , ρ x x = E x j x = m n e 2 τ R_H=\frac{E_y}{j_xB}=-\frac1{ne},\qquad\rho_{xx}=\frac{E_x}{j_x}=\frac{m}{ne^2\tau} R H = j x B E y = − n e 1 , ρ xx = j x E x = n e 2 τ m となる。すなわち Hall 係数は電子数密度だけで決まり、符号は電荷の符号を表す。抵抗率 ρ x x \rho_{xx} ρ xx は磁場に依存しない。
証明(命題 2.6) 定常状態 d p / d t = 0 d\boldsymbol{p}/dt=0 d p / d t = 0 で、定理 2.2 の式に磁場の力を加えると、0 = − m v τ − e ( E + v × B ) 0=-\dfrac{m\boldsymbol{v}}{\tau}-e(\boldsymbol{E}+\boldsymbol{v}\times\boldsymbol{B}) 0 = − τ m v − e ( E + v × B ) 。v = − j / ( n e ) \boldsymbol{v}=-\boldsymbol{j}/(ne) v = − j / ( n e ) を代入して整理すると
E = m n e 2 τ j + 1 n e j × B . \boldsymbol{E}=\frac{m}{ne^2\tau}\boldsymbol{j}+\frac{1}{ne}\boldsymbol{j}\times\boldsymbol{B} . E = n e 2 τ m j + n e 1 j × B . ( j × B ) x = j y B (\boldsymbol{j}\times\boldsymbol{B})_x=j_yB ( j × B ) x = j y B 、( j × B ) y = − j x B (\boldsymbol{j}\times\boldsymbol{B})_y=-j_xB ( j × B ) y = − j x B なので、成分は E x = ρ 0 j x + B n e j y E_x=\rho_0j_x+\dfrac{B}{ne}j_y E x = ρ 0 j x + n e B j y 、E y = ρ 0 j y − B n e j x E_y=\rho_0j_y-\dfrac B{ne}j_x E y = ρ 0 j y − n e B j x (ρ 0 = m / n e 2 τ \rho_0=m/ne^2\tau ρ 0 = m / n e 2 τ )です。j y = 0 j_y=0 j y = 0 とすれば E x = ρ 0 j x E_x=\rho_0j_x E x = ρ 0 j x 、E y = − B n e j x E_y=-\dfrac{B}{ne}j_x E y = − n e B j x で、主張を得ます。
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Hall 係数を測れば、電子密度 n n n とキャリアの符号 が直接分かります。ナトリウム・カリウム・銅・銀・金などでは R H = − 1 / n e R_H=-1/ne R H = − 1/ n e を数十パーセントの精度で再現します。しかし亜鉛・カドミウム・アルミニウムの Hall 係数は正 で、まるで正電荷が動いているように見えます。この符号の食い違いは、Drude 模型にもその量子論版にも説明できず、結晶中のバンド構造(正孔、次章)を要します。
Drude は電子に古典的な等分配則を適用しました。電子 1 個あたりの熱エネルギーは 3 2 k B T \tfrac32k_BT 2 3 k B T で、電子比熱は C e l = 3 2 n k B C_{\mathrm{el}}=\tfrac32nk_B C el = 2 3 n k B のはずです。これだと、格子の Dulong–Petit の値 3 n k B 3nk_B 3 n k B (命題 7.1[結晶構造と格子振動] )に、電子が加わって室温の全比熱が約 1.5 倍になるはずですが、実測ではそうなっていません。金属の室温のモル比熱は非金属とほぼ同じ 3 R 3R 3 R のままで、電子の寄与は 3 2 R \tfrac32R 2 3 R の 1 % 程度しか見えないのです。
熱伝導については、熱を運ぶ主役が電子で、電気伝導と同じ τ \tau τ が熱輸送を決める、という描像が成り立ちます。次の補題は気体分子運動論の議論と同じです。方針は、温度の高い側から来た粒子ほど多くの熱エネルギーを持っているので、粒子が最後に衝突した場所(飛んできた向きに距離 v τ v\tau v τ ほど手前)の温度の差が熱の流れになる、というものです。向きの角 θ \theta θ についての平均は、空間が等方的だから出てくる因子(cos 2 θ \cos^2\theta cos 2 θ の平均が 1 / 3 1/3 1/3 )にまとめられます。
補題 2.7 (気体運動論による熱伝導率 ) ✓
粒子の気体で、粒子 1 個あたりの熱エネルギーを ϵ ( T ) \epsilon(T) ϵ ( T ) 、数密度 n n n 、速さ v v v 、衝突間の時間 τ \tau τ とし、衝突直後に粒子はその場所の温度に応じた熱エネルギーをもつと仮定する。温度勾配 ∂ x T \partial_xT ∂ x T があるとき、x x x 方向の熱流密度は j q = − κ ∂ x T j_q=-\kappa\,\partial_xT j q = − κ ∂ x T 、
κ = 1 3 c v 2 τ , c = n d ϵ d T \kappa=\frac13\,c\,v^2\tau,\qquad c=n\frac{d\epsilon}{dT} κ = 3 1 c v 2 τ , c = n d T d ϵ (c c c は体積あたりの熱容量)である。
証明(補題 2.7) 方向角 θ \theta θ (x x x 軸との角)で飛んできた粒子は、最後の衝突を距離 v τ cos θ v\tau\cos\theta v τ cos θ だけ後ろ(x − v τ cos θ x-v\tau\cos\theta x − v τ cos θ )で起こしており、そこの温度に対応する熱エネルギー ϵ ( T ( x − v τ cos θ ) ) ≃ ϵ ( T ( x ) ) − d ϵ d T ∂ x T v τ cos θ \epsilon\!\left(T(x-v\tau\cos\theta)\right)\simeq\epsilon(T(x))-\dfrac{d\epsilon}{dT}\,\partial_xT\,v\tau\cos\theta ϵ ( T ( x − v τ cos θ ) ) ≃ ϵ ( T ( x )) − d T d ϵ ∂ x T v τ cos θ をもっています。x x x 方向の熱流は、方向についての平均 ⟨ ⋅ ⟩ \langle\cdot\rangle ⟨ ⋅ ⟩ (等方的なので ⟨ cos θ ⟩ = 0 \langle\cos\theta\rangle=0 ⟨ cos θ ⟩ = 0 、⟨ cos 2 θ ⟩ = 1 / 3 \langle\cos^2\theta\rangle=1/3 ⟨ cos 2 θ ⟩ = 1/3 )を使って
j q = n ⟨ v cos θ ϵ ( T ( x − v τ cos θ ) ) ⟩ = − n d ϵ d T v 2 τ ∂ x T ⟨ cos 2 θ ⟩ = − 1 3 c v 2 τ ∂ x T j_q=n\left\langle v\cos\theta\ \epsilon\!\left(T(x-v\tau\cos\theta)\right)\right\rangle=-n\frac{d\epsilon}{dT}v^2\tau\,\partial_xT\left\langle\cos^2\theta\right\rangle=-\frac13cv^2\tau\,\partial_xT j q = n ⟨ v cos θ ϵ ( T ( x − v τ cos θ ) ) ⟩ = − n d T d ϵ v 2 τ ∂ x T ⟨ cos 2 θ ⟩ = − 3 1 c v 2 τ ∂ x T です。
∎
Drude は c = 3 2 n k B c=\tfrac32nk_B c = 2 3 n k B 、v 2 = 3 k B T / m v^2=3k_BT/m v 2 = 3 k B T / m を使い、κ = 3 2 n k B 2 T τ / m \kappa=\tfrac32nk_B^2T\tau/m κ = 2 3 n k B 2 T τ / m 、したがって 定理 2.2 の σ \sigma σ との比(Lorenz 数)は
L D r u d e = κ σ T = 3 2 ( k B e ) 2 = 1.11 × 10 − 8 W Ω K − 2 L_{\mathrm{Drude}}=\frac{\kappa}{\sigma T}=\frac32\left(\frac{k_B}e\right)^2=1.11\times10^{-8}\ \mathrm{W\,\Omega\,K^{-2}} L Drude = σ T κ = 2 3 ( e k B ) 2 = 1.11 × 1 0 − 8 W Ω K − 2
で、n , τ , m n,\tau,m n , τ , m が消えて物質によらない定数になります(Wiedemann–Franz 則、1853)。実測は約 2.4 × 10 − 8 2.4\times10^{-8} 2.4 × 1 0 − 8 で、値は 2 倍違いますが、物質によらないという点は驚くほどよく成り立ちます(Drude 自身は計算に 2 倍の誤りがあり、実測に近い値を得たと伝えられています)。ただしこの一致は偶然に近いものでした。本当は、電子比熱が古典値より 2 桁ほど小さく、電子の速さが熱速度より 1 桁ほど大きいので、c c c と v 2 v^2 v 2 の誤差が打ち消し合っていたのです。つまり、比熱を大きく見積もりすぎた分を、速さの二乗を小さく見積もりすぎた分が打ち消して、たまたま実測に近い値が出ていたのです。これは量子論では次のように必然に変わります。
定義 3.1 (自由電子気体 ) ↗
一辺 L L L の立方体(体積 V = L 3 V=L^3 V = L 3 )の中の N N N 個の電子で、電子間相互作用と結晶ポテンシャルを無視し、1 粒子ハミルトニアン H = − ℏ 2 2 m ∇ 2 H=-\dfrac{\hbar^2}{2m}\nabla^2 H = − 2 m ℏ 2 ∇ 2 に周期境界条件 ψ ( r + L x ^ i ) = ψ ( r ) \psi(\boldsymbol{r}+L\hat{x}_i)=\psi(\boldsymbol{r}) ψ ( r + L x ^ i ) = ψ ( r ) (i = 1 , 2 , 3 i=1,2,3 i = 1 , 2 , 3 )を課したものを自由電子気体 という。電子はスピン 1/2 のフェルミ粒子 で、N N N 体状態は 1 粒子状態への占有(排他律)で指定する。
命題 3.2 (1 粒子状態と状態数 ) ✓
1 粒子の固有関数は平面波 ψ k ( r ) = e i k ⋅ r / V \psi_{\boldsymbol{k}}(\boldsymbol{r})=e^{i\boldsymbol{k}\cdot\boldsymbol{r}}/\sqrt V ψ k ( r ) = e i k ⋅ r / V 、固有エネルギーは ε ( k ) = ℏ 2 ∣ k ∣ 2 / 2 m \varepsilon(\boldsymbol{k})=\hbar^2|\boldsymbol{k}|^2/2m ε ( k ) = ℏ 2 ∣ k ∣ 2 /2 m で、許される波数は
k = 2 π L ( n 1 , n 2 , n 3 ) , n i ∈ Z \boldsymbol{k}=\frac{2\pi}L(n_1,n_2,n_3),\qquad n_i\in\mathbb{Z} k = L 2 π ( n 1 , n 2 , n 3 ) , n i ∈ Z である。各 k \boldsymbol{k} k にスピン上向き・下向きの 2 状態があり、k k k 空間の領域 Ω \Omega Ω に含まれる状態数は、V → ∞ V\to\infty V → ∞ で
# { 状態 ∈ Ω } ≃ 2 ⋅ V ( 2 π ) 3 ∣ Ω ∣ . \#\{\text{状態}\in\Omega\}\simeq2\cdot\frac{V}{(2\pi)^3}\,|\Omega| . # { 状態 ∈ Ω } ≃ 2 ⋅ ( 2 π ) 3 V ∣Ω∣.
証明(命題 3.2) − ℏ 2 2 m ∇ 2 e i k ⋅ r = ℏ 2 k 2 2 m e i k ⋅ r -\frac{\hbar^2}{2m}\nabla^2e^{i\boldsymbol{k}\cdot\boldsymbol{r}}=\frac{\hbar^2k^2}{2m}e^{i\boldsymbol{k}\cdot\boldsymbol{r}} − 2 m ℏ 2 ∇ 2 e i k ⋅ r = 2 m ℏ 2 k 2 e i k ⋅ r なので平面波は固有関数です。周期境界条件 e i k i L = 1 e^{ik_iL}=1 e i k i L = 1 から k i = 2 π n i / L k_i=2\pi n_i/L k i = 2 π n i / L 。k k k 空間のこの格子点は、1 点あたり体積 ( 2 π / L ) 3 = ( 2 π ) 3 / V (2\pi/L)^3=(2\pi)^3/V ( 2 π / L ) 3 = ( 2 π ) 3 / V を占めるので、有界領域 Ω \Omega Ω の中の点の数は ∣ Ω ∣ / ( ( 2 π ) 3 / V ) |\Omega|/\left((2\pi)^3/V\right) ∣Ω∣/ ( ( 2 π ) 3 / V ) に、V → ∞ V\to\infty V → ∞ で(Riemann 和として)漸近的に等しくなります。スピンで 2 倍します。
∎
下の図は、k k k 空間(2 次元断面)に許される波数が格子状に並ぶ様子と、基底状態を表すフェルミ球 です。N N N 個の電子を 1 つずつ、排他律を守りながらエネルギーの低い状態から詰めていくと、k k k 空間の原点を中心とした球ができます。
k_F フェルミ面 k_x k_y 格子点の間隔は 2π/L(1 点が占める面積は (2π/L)²) k 空間の許される波数(格子点)。電子はエネルギー ħ²k²/2m が低い順に、スピン 2 つずつ詰まる。T = 0 の基底状態は半径 k_F の球(フェルミ球)の内側がすべて占有された状態で、球面がフェルミ面。
量子統計 の章で、粒子数 N N N から決まるフェルミエネルギー ε F \varepsilon_F ε F を導きました(定義 6.1[量子統計] , 命題 6.2[量子統計] )。ここでは k k k 空間の描像で組み立て直し、物性を見るのに便利な形にまとめます。
命題 3.3 (フェルミ波数・フェルミ速度 ) ✓
数密度 n = N / V n=N/V n = N / V の 3 次元自由電子気体の基底状態は、半径
k F = ( 3 π 2 n ) 1 / 3 k_F=(3\pi^2n)^{1/3} k F = ( 3 π 2 n ) 1/3 のフェルミ球の内側を満たしたもので、フェルミエネルギー ε F = ℏ 2 k F 2 / 2 m \varepsilon_F=\hbar^2k_F^2/2m ε F = ℏ 2 k F 2 /2 m 、フェルミ速度 v F = ℏ k F / m v_F=\hbar k_F/m v F = ℏ k F / m 、フェルミ温度 T F = ε F / k B T_F=\varepsilon_F/k_B T F = ε F / k B である。
証明(命題 3.3) 半径 k F k_F k F の球の中の状態数は 命題 3.2 から 2 ⋅ V ( 2 π ) 3 ⋅ 4 π 3 k F 3 = V 3 π 2 k F 3 2\cdot\frac V{(2\pi)^3}\cdot\frac{4\pi}3k_F^3=\frac{V}{3\pi^2}k_F^3 2 ⋅ ( 2 π ) 3 V ⋅ 3 4 π k F 3 = 3 π 2 V k F 3 。これが N N N に等しいとおけば k F 3 = 3 π 2 n k_F^3=3\pi^2n k F 3 = 3 π 2 n 。エネルギーと速度は ε = ℏ 2 k 2 / 2 m \varepsilon=\hbar^2k^2/2m ε = ℏ 2 k 2 /2 m 、v = ℏ k / m v=\hbar k/m v = ℏ k / m を k = k F k=k_F k = k F で評価したものです。この ε F \varepsilon_F ε F は 命題 6.2[量子統計] で g = 2 g=2 g = 2 とおいたものと一致します。
∎
例 3.4 (いくつかの金属のフェルミ量 )
自由電子的な金属の、価電子の数密度から計算した値です。
金属 n n n (10 28 m − 3 10^{28}\ \mathrm{m^{-3}} 1 0 28 m − 3 )k F k_F k F (10 10 m − 1 10^{10}\ \mathrm{m^{-1}} 1 0 10 m − 1 )v F v_F v F (10 6 m / s 10^6\ \mathrm{m/s} 1 0 6 m/s )ε F \varepsilon_F ε F (eV)T F T_F T F (10 4 K 10^4\ \mathrm{K} 1 0 4 K )Na 2.65 0.92 1.07 3.24 3.77 Cu 8.5 1.36 1.57 7.0 8.2 Al 18.1 1.75 2.03 11.7 13.6
たとえばアルミニウムは 1 原子あたり 3 個の価電子を出し、k F = ( 3 π 2 × 1.81 × 10 29 ) 1 / 3 = 1.75 × 10 10 m − 1 k_F=(3\pi^2\times1.81\times10^{29})^{1/3}=1.75\times10^{10}\ \mathrm{m^{-1}} k F = ( 3 π 2 × 1.81 × 1 0 29 ) 1/3 = 1.75 × 1 0 10 m − 1 、ε F = ℏ 2 k F 2 / 2 m = 1.87 × 10 − 18 J = 11.7 e V \varepsilon_F=\hbar^2k_F^2/2m=1.87\times10^{-18}\ \mathrm{J}=11.7\ \mathrm{eV} ε F = ℏ 2 k F 2 /2 m = 1.87 × 1 0 − 18 J = 11.7 eV です。フェルミ速度は光速の約 1 % で、室温の熱速度よりずっと大きいことに注意してください。電子は絶対零度でも激しく動いています(排他律のため)。
エネルギー ε \varepsilon ε の付近の「状態の込み具合」を表す量が状態密度です。
定義 3.5 (状態密度 ) ↗
エネルギーが ε \varepsilon ε 以下の(スピンを込めた)1 粒子状態の数を N ( ε ) \mathcal{N}(\varepsilon) N ( ε ) とするとき、D ( ε ) = d N / d ε D(\varepsilon)=d\mathcal{N}/d\varepsilon D ( ε ) = d N / d ε を状態密度 という。ε \varepsilon ε から ε + d ε \varepsilon+d\varepsilon ε + d ε のあいだの状態数が D ( ε ) d ε D(\varepsilon)d\varepsilon D ( ε ) d ε である。
N ( ε ) \mathcal{N}(\varepsilon) N ( ε ) はエネルギーが低い方から数えた状態の累計で、これを ε \varepsilon ε で微分した D ( ε ) D(\varepsilon) D ( ε ) は、ε \varepsilon ε のまわりの単位エネルギー幅に何個の状態があるかを表します。次の定理は、k k k 空間で「半径 k k k の球(円、線分)の中の状態数」を数えて、ε \varepsilon ε で微分するだけです。
定理 3.6 (自由電子気体の状態密度 ) ✓
自由電子気体の状態密度は、3 次元・2 次元・1 次元でそれぞれ
D 3 ( ε ) = V 2 π 2 ( 2 m ℏ 2 ) 3 / 2 ε , D 2 ( ε ) = m A π ℏ 2 , D 1 ( ε ) = L π ℏ 2 m ε ( ε > 0 ) D_{3}(\varepsilon)=\frac{V}{2\pi^2}\left(\frac{2m}{\hbar^2}\right)^{3/2}\!\sqrt\varepsilon,\qquad
D_{2}(\varepsilon)=\frac{mA}{\pi\hbar^2},\qquad
D_{1}(\varepsilon)=\frac{L}{\pi\hbar}\sqrt{\frac{2m}{\varepsilon}}\qquad(\varepsilon>0) D 3 ( ε ) = 2 π 2 V ( ℏ 2 2 m ) 3/2 ε , D 2 ( ε ) = π ℏ 2 m A , D 1 ( ε ) = π ℏ L ε 2 m ( ε > 0 ) である(A A A は 2 次元系の面積、L L L は 1 次元系の長さ)。3 次元ではフェルミエネルギーで D 3 ( ε F ) = 3 N 2 ε F D_3(\varepsilon_F)=\dfrac{3N}{2\varepsilon_F} D 3 ( ε F ) = 2 ε F 3 N である。
証明(定理 3.6) 3 次元:ε ( k ) ≤ ε \varepsilon(\boldsymbol{k})\le\varepsilon ε ( k ) ≤ ε は半径 k = 2 m ε / ℏ k=\sqrt{2m\varepsilon}/\hbar k = 2 m ε /ℏ の球で、命題 3.2 より N 3 ( ε ) = 2 V ( 2 π ) 3 4 π 3 k 3 = V 3 π 2 ( 2 m ε ℏ 2 ) 3 / 2 \mathcal{N}_3(\varepsilon)=2\frac V{(2\pi)^3}\frac{4\pi}3k^3=\frac V{3\pi^2}\left(\frac{2m\varepsilon}{\hbar^2}\right)^{3/2} N 3 ( ε ) = 2 ( 2 π ) 3 V 3 4 π k 3 = 3 π 2 V ( ℏ 2 2 m ε ) 3/2 。ε \varepsilon ε で微分して D 3 D_3 D 3 を得ます。ε F \varepsilon_F ε F で N 3 ( ε F ) = N \mathcal{N}_3(\varepsilon_F)=N N 3 ( ε F ) = N なので、N 3 ∝ ε 3 / 2 \mathcal{N}_3\propto\varepsilon^{3/2} N 3 ∝ ε 3/2 から D 3 ( ε F ) = 3 2 N 3 ( ε F ) / ε F = 3 N / 2 ε F D_3(\varepsilon_F)=\frac32\mathcal{N}_3(\varepsilon_F)/\varepsilon_F=3N/2\varepsilon_F D 3 ( ε F ) = 2 3 N 3 ( ε F ) / ε F = 3 N /2 ε F 。
2 次元:円の面積 π k 2 \pi k^2 π k 2 より N 2 = 2 A ( 2 π ) 2 π k 2 = A 2 π ⋅ 2 m ε ℏ 2 = m A π ℏ 2 ε \mathcal{N}_2=2\frac A{(2\pi)^2}\pi k^2=\frac{A}{2\pi}\cdot\frac{2m\varepsilon}{\hbar^2}=\frac{mA}{\pi\hbar^2}\varepsilon N 2 = 2 ( 2 π ) 2 A π k 2 = 2 π A ⋅ ℏ 2 2 m ε = π ℏ 2 m A ε 。ε \varepsilon ε に比例するので D 2 D_2 D 2 は定数です。
1 次元:区間 ∣ k ′ ∣ ≤ k |k'|\le k ∣ k ′ ∣ ≤ k の長さ 2 k 2k 2 k より N 1 = 2 L 2 π 2 k = 2 L π 2 m ε ℏ \mathcal{N}_1=2\frac L{2\pi}2k=\frac{2L}\pi\frac{\sqrt{2m\varepsilon}}\hbar N 1 = 2 2 π L 2 k = π 2 L ℏ 2 m ε 。d d ε 2 m ε = m / 2 ε \frac{d}{d\varepsilon}\sqrt{2m\varepsilon}=\sqrt{m/2\varepsilon} d ε d 2 m ε = m /2 ε を使って微分すると D 1 = 2 L π ℏ m 2 ε = L π ℏ 2 m ε D_1=\frac{2L}{\pi\hbar}\sqrt{\frac{m}{2\varepsilon}}=\frac{L}{\pi\hbar}\sqrt{\frac{2m}{\varepsilon}} D 1 = π ℏ 2 L 2 ε m = π ℏ L ε 2 m です(2 / 2 = 2 2/\sqrt2=\sqrt2 2/ 2 = 2 )。
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次元によって状態密度の形が変わること(3 次元 ε \sqrt\varepsilon ε 、2 次元一定、1 次元 1 / ε 1/\sqrt\varepsilon 1/ ε )は、第 6 章で見る 2 次元電子系の量子 Hall 効果や、半導体の量子井戸・量子細線の物理の出発点になります。
自由電子気体の T = 0 T=0 T = 0 では ε F \varepsilon_F ε F までが埋まっています。有限温度 T ≪ T F T\ll T_F T ≪ T F では、Fermi 分布 f ( ε ) = [ e ( ε − μ ) / k B T + 1 ] − 1 f(\varepsilon)=\left[e^{(\varepsilon-\mu)/k_BT}+1\right]^{-1} f ( ε ) = [ e ( ε − μ ) / k B T + 1 ] − 1 が階段から丸まる範囲、ε F \varepsilon_F ε F を中心にした幅 ∼ k B T \sim k_BT ∼ k B T の電子だけが励起されます(下の図)。
ε_F 0 エネルギー ε D(ε)(破線:D、実線:D·f) 有限温度の占有 ε_F の上下 ~k_BT だけが変化 T = 0 で満杯 状態密度 D(ε) ∝ √ε(破線)と、有限温度で占有されている状態 D(ε)f(ε)(実線)。T = 0 では ε_F まで満杯(色つきの面積)。温度が上がると ε_F の上下の薄い層だけで占有が入れ替わり、その層の中の電子数は D(ε_F)k_BT 程度。
温度を上げていくと、階段だった Fermi 分布がどう丸まるかを動画で見てみます。左が f ( ε ) f(\varepsilon) f ( ε ) 、右が D ( ε ) f ( ε ) D(\varepsilon)f(\varepsilon) D ( ε ) f ( ε ) で、電子数一定の条件から化学ポテンシャル μ \mu μ も計算し直しています。
温度 T/T_F を 0.005 から 0.3 まで上げたときの Fermi 分布(左)と占有された状態(右)。変化するのは ε_F 付近の幅 k_BT 程度の層だけで、深い所は満杯のまま。電子数を一定に保つため μ は ε_F からわずかに下がる。
幅が k B T k_BT k B T 程度なのは、熱が 1 個の電子に与えられるエネルギーが k B T k_BT k B T 程度で、それより深い所の電子は、すぐ上の状態がすでに埋まっている(排他律)ので動けないからです。熱エネルギーを受け取れるのは層内の約 D ( ε F ) k B T D(\varepsilon_F)k_BT D ( ε F ) k B T 個の電子で、各電子の受け取るエネルギーは ∼ k B T \sim k_BT ∼ k B T 。したがって U − U 0 ∼ D ( ε F ) ( k B T ) 2 U-U_0\sim D(\varepsilon_F)(k_BT)^2 U − U 0 ∼ D ( ε F ) ( k B T ) 2 、C ∼ D ( ε F ) k B 2 T C\sim D(\varepsilon_F)k_B^2T C ∼ D ( ε F ) k B 2 T だろう、という見積もりが立ちます。厳密にはこうなります。この証明では、定理 6.5[量子統計] の Sommerfeld 展開(階段に近い Fermi 分布をかけた積分を、温度 T T T のべきで近似する公式)を使います。電子数が一定という条件から μ \mu μ のずれを決め、それを内部エネルギーに入れて T T T で微分する、という流れです。
定理 4.1 (電子比熱(一般の状態密度) ) ✓
状態密度 D ( ε ) D(\varepsilon) D ( ε ) が ε F \varepsilon_F ε F の近傍で滑らかで D ( ε F ) > 0 D(\varepsilon_F)>0 D ( ε F ) > 0 とする。電子数 N N N を固定して温度を T ≪ T F T\ll T_F T ≪ T F に上げるとき、化学ポテンシャルと内部エネルギー、比熱は
μ = ε F − π 2 6 ( k B T ) 2 D ′ ( ε F ) D ( ε F ) + O ( T 4 ) , U = U 0 + π 2 6 ( k B T ) 2 D ( ε F ) + O ( T 4 ) , \mu=\varepsilon_F-\frac{\pi^2}{6}(k_BT)^2\frac{D'(\varepsilon_F)}{D(\varepsilon_F)}+O(T^4),\qquad
U=U_0+\frac{\pi^2}6(k_BT)^2D(\varepsilon_F)+O(T^4), μ = ε F − 6 π 2 ( k B T ) 2 D ( ε F ) D ′ ( ε F ) + O ( T 4 ) , U = U 0 + 6 π 2 ( k B T ) 2 D ( ε F ) + O ( T 4 ) , C = γ T , γ = π 2 3 k B 2 D ( ε F ) C=\gamma T,\qquad\gamma=\frac{\pi^2}3k_B^2\,D(\varepsilon_F) C = γ T , γ = 3 π 2 k B 2 D ( ε F ) で与えられる。ここで U 0 U_0 U 0 は T = 0 T=0 T = 0 の内部エネルギー。
証明(定理 4.1) 粒子数と内部エネルギーは N = ∫ D ( ε ) f ( ε ) d ε N=\int D(\varepsilon)f(\varepsilon)d\varepsilon N = ∫ D ( ε ) f ( ε ) d ε 、U = ∫ ε D ( ε ) f ( ε ) d ε U=\int\varepsilon D(\varepsilon)f(\varepsilon)d\varepsilon U = ∫ ε D ( ε ) f ( ε ) d ε です。Sommerfeld 展開(定理 6.5[量子統計] )を H = D H=D H = D と H = ε D H=\varepsilon D H = ε D に適用します(D ( ε ) = 0 D(\varepsilon)=0 D ( ε ) = 0 for ε < 0 \varepsilon<0 ε < 0 )。
N = ∫ 0 μ D d ε + π 2 6 ( k B T ) 2 D ′ ( μ ) + O ( T 4 ) , U = ∫ 0 μ ε D d ε + π 2 6 ( k B T ) 2 [ D ( μ ) + μ D ′ ( μ ) ] + O ( T 4 ) . N=\int_0^\mu D\,d\varepsilon+\frac{\pi^2}6(k_BT)^2D'(\mu)+O(T^4),\qquad
U=\int_0^\mu\varepsilon D\,d\varepsilon+\frac{\pi^2}6(k_BT)^2\left[D(\mu)+\mu D'(\mu)\right]+O(T^4). N = ∫ 0 μ D d ε + 6 π 2 ( k B T ) 2 D ′ ( μ ) + O ( T 4 ) , U = ∫ 0 μ ε D d ε + 6 π 2 ( k B T ) 2 [ D ( μ ) + μ D ′ ( μ ) ] + O ( T 4 ) . T = 0 T=0 T = 0 で N = ∫ 0 ε F D d ε N=\int_0^{\varepsilon_F}D\,d\varepsilon N = ∫ 0 ε F D d ε です。δ = μ − ε F \delta=\mu-\varepsilon_F δ = μ − ε F とおくと、δ = O ( T 2 ) \delta=O(T^2) δ = O ( T 2 ) を仮定して(以下で自己無矛盾に確かめる)∫ 0 μ D = ∫ 0 ε F D + D ( ε F ) δ + O ( δ 2 ) \int_0^\mu D=\int_0^{\varepsilon_F}D+D(\varepsilon_F)\delta+O(\delta^2) ∫ 0 μ D = ∫ 0 ε F D + D ( ε F ) δ + O ( δ 2 ) 、D ′ ( μ ) = D ′ ( ε F ) + O ( T 2 ) D'(\mu)=D'(\varepsilon_F)+O(T^2) D ′ ( μ ) = D ′ ( ε F ) + O ( T 2 ) 。N N N の式から
0 = D ( ε F ) δ + π 2 6 ( k B T ) 2 D ′ ( ε F ) + O ( T 4 ) ⟹ δ = − π 2 6 ( k B T ) 2 D ′ ( ε F ) D ( ε F ) + O ( T 4 ) , 0=D(\varepsilon_F)\delta+\frac{\pi^2}{6}(k_BT)^2D'(\varepsilon_F)+O(T^4)\quad\Longrightarrow\quad\delta=-\frac{\pi^2}6(k_BT)^2\frac{D'(\varepsilon_F)}{D(\varepsilon_F)}+O(T^4), 0 = D ( ε F ) δ + 6 π 2 ( k B T ) 2 D ′ ( ε F ) + O ( T 4 ) ⟹ δ = − 6 π 2 ( k B T ) 2 D ( ε F ) D ′ ( ε F ) + O ( T 4 ) , となり μ \mu μ の式が出ます。同様に ∫ 0 μ ε D = ∫ 0 ε F ε D + ε F D ( ε F ) δ + O ( δ 2 ) \int_0^\mu\varepsilon D=\int_0^{\varepsilon_F}\varepsilon D+\varepsilon_FD(\varepsilon_F)\delta+O(\delta^2) ∫ 0 μ ε D = ∫ 0 ε F ε D + ε F D ( ε F ) δ + O ( δ 2 ) で、U 0 = ∫ 0 ε F ε D U_0=\int_0^{\varepsilon_F}\varepsilon D U 0 = ∫ 0 ε F ε D とすると
U = U 0 + ε F D ( ε F ) δ + π 2 6 ( k B T ) 2 [ D ( ε F ) + ε F D ′ ( ε F ) ] + O ( T 4 ) . U=U_0+\varepsilon_FD(\varepsilon_F)\delta+\frac{\pi^2}6(k_BT)^2\left[D(\varepsilon_F)+\varepsilon_FD'(\varepsilon_F)\right]+O(T^4). U = U 0 + ε F D ( ε F ) δ + 6 π 2 ( k B T ) 2 [ D ( ε F ) + ε F D ′ ( ε F ) ] + O ( T 4 ) . δ \delta δ の式を代入すると ε F D ′ ( ε F ) \varepsilon_FD'(\varepsilon_F) ε F D ′ ( ε F ) の項が打ち消し合って、U = U 0 + π 2 6 ( k B T ) 2 D ( ε F ) U=U_0+\frac{\pi^2}6(k_BT)^2D(\varepsilon_F) U = U 0 + 6 π 2 ( k B T ) 2 D ( ε F ) 。T T T で微分して C = π 2 3 k B 2 D ( ε F ) T C=\frac{\pi^2}3k_B^2D(\varepsilon_F)T C = 3 π 2 k B 2 D ( ε F ) T 。
∎
重要なのは、γ \gamma γ がフェルミ面での状態密度だけ で決まる点です。電子が自由電子的でなくても(次章のバンド理論でも、電子間相互作用があっても、実効的な D ( ε F ) D(\varepsilon_F) D ( ε F ) を使えば)この形は保たれます。実験で比熱を測ることは、フェルミ面の状態密度を測ることにあたります。
系 4.2 (自由電子気体の電子比熱係数 ) ✓
3 次元自由電子気体では、定理 3.6 の D 3 ( ε F ) = 3 N / 2 ε F D_3(\varepsilon_F)=3N/2\varepsilon_F D 3 ( ε F ) = 3 N /2 ε F から
C e l = γ T , γ = π 2 2 N k B T F = π 2 2 n k B T F V . C_{\mathrm{el}}=\gamma T,\qquad\gamma=\frac{\pi^2}{2}\frac{Nk_B}{T_F}=\frac{\pi^2}{2}\frac{nk_B}{T_F}\,V . C el = γ T , γ = 2 π 2 T F N k B = 2 π 2 T F n k B V . 古典値 3 2 N k B \tfrac32Nk_B 2 3 N k B との比は C e l / ( 3 2 N k B ) = π 2 3 T T F C_{\mathrm{el}}/\left(\tfrac32Nk_B\right)=\dfrac{\pi^2}{3}\dfrac T{T_F} C el / ( 2 3 N k B ) = 3 π 2 T F T で、T ≪ T F T\ll T_F T ≪ T F のとき小さい。
証明(系 4.2) 定理 4.1 の γ = π 2 3 k B 2 D 3 ( ε F ) = π 2 3 k B 2 3 N 2 ε F = π 2 2 N k B 2 ε F = π 2 2 N k B T F \gamma=\frac{\pi^2}3k_B^2D_3(\varepsilon_F)=\frac{\pi^2}3k_B^2\frac{3N}{2\varepsilon_F}=\frac{\pi^2}2\frac{Nk_B^2}{\varepsilon_F}=\frac{\pi^2}2\frac{Nk_B}{T_F} γ = 3 π 2 k B 2 D 3 ( ε F ) = 3 π 2 k B 2 2 ε F 3 N = 2 π 2 ε F N k B 2 = 2 π 2 T F N k B 。これは 量子統計 の 命題 6.7[量子統計] の結果と一致します。古典値との比は π 2 2 T T F / 3 2 = π 2 3 T T F \frac{\pi^2}2\frac{T}{T_F}\Big/\frac32=\frac{\pi^2}3\frac T{T_F} 2 π 2 T F T / 2 3 = 3 π 2 T F T 。
∎
銅(T F = 8.2 × 10 4 K T_F=8.2\times10^4\ \mathrm{K} T F = 8.2 × 1 0 4 K )の室温では π 2 3 300 8.2 × 10 4 = 1.2 × 10 − 2 \frac{\pi^2}3\frac{300}{8.2\times10^4}=1.2\times10^{-2} 3 π 2 8.2 × 1 0 4 300 = 1.2 × 1 0 − 2 、すなわち古典値の約 1.2 %。これが Drude 模型の比熱の矛盾を解消します。電子の大部分は、排他律のために、熱エネルギーを受け取る余地がないのです。
金属の低温の全比熱は、電子とフォノンの和です。
C = γ T + β T 3 , β = 12 π 4 5 N k B θ D 3 C=\gamma T+\beta T^3,\qquad\beta=\frac{12\pi^4}{5}\frac{Nk_B}{\theta_D^3} C = γ T + β T 3 , β = 5 12 π 4 θ D 3 N k B
(後者は 前章の Debye の結果 )。両辺を T T T で割った C / T = γ + β T 2 C/T=\gamma+\beta T^2 C / T = γ + β T 2 を T 2 T^2 T 2 に対してプロットすると直線になり、切片が γ \gamma γ 、傾きが β \beta β (したがって θ D \theta_D θ D )を与えます。
0 T²(K²) C/T 切片 = γ(電子) 傾き = β(フォノン) C/T = γ + βT² 金属の低温比熱の標準的な整理法(銅の値を例とした模式図)。C/T を T² に対してプロットすると直線になり、縦軸の切片が電子比熱係数 γ、傾きが格子比熱の係数 β を与える。
例 4.3 (自由電子の予言と実測 )
ナトリウムの T F = 3.77 × 10 4 K T_F=3.77\times10^4\ \mathrm{K} T F = 3.77 × 1 0 4 K から、1 モルあたり γ = π 2 2 R T F = 4.935 × 8.314 3.77 × 10 4 = 1.09 m J m o l − 1 K − 2 \gamma=\frac{\pi^2}2\frac R{T_F}=\frac{4.935\times8.314}{3.77\times10^4}=1.09\ \mathrm{mJ\,mol^{-1}K^{-2}} γ = 2 π 2 T F R = 3.77 × 1 0 4 4.935 × 8.314 = 1.09 mJ mo l − 1 K − 2 (系 4.2 )。実測は約 1.38 1.38 1.38 で、比は 1.3 1.3 1.3 です。銅は予言 0.50 0.50 0.50 に対して実測 0.69 0.69 0.69 (比 1.4 1.4 1.4 )。自由電子の予言は 3 割程度の精度で合います。比のずれは、結晶ポテンシャルと電子間相互作用による実効質量の補正で、m ∗ / m m^*/m m ∗ / m と解釈されます(次章)。重い電子系と呼ばれる物質では、この比が数百になります。
Drude の古典的な計算と同じ 補題 2.7 を、Sommerfeld の描像に適用します。熱を運べるのは ε F \varepsilon_F ε F 近傍の電子だけで、その速さは v F v_F v F です。したがって c = γ T c=\gamma T c = γ T (体積あたり)、v = v F v=v_F v = v F とします。
命題 5.1 (Wiedemann–Franz 則(緩和時間近似) ) ✓
熱流と電流を運ぶ電子の緩和時間が同じ τ \tau τ であると仮定すると、自由電子気体の熱伝導率と電気伝導度の比は
L = κ σ T = π 2 3 ( k B e ) 2 = 2.44 × 10 − 8 W Ω K − 2 L=\frac{\kappa}{\sigma T}=\frac{\pi^2}3\left(\frac{k_B}e\right)^2=2.44\times10^{-8}\ \mathrm{W\,\Omega\,K^{-2}} L = σ T κ = 3 π 2 ( e k B ) 2 = 2.44 × 1 0 − 8 W Ω K − 2 で、物質によらない定数である。
証明(命題 5.1) 補題 2.7 に、体積あたりの電子比熱 c = π 2 2 n k B T T F c=\frac{\pi^2}2nk_B\frac{T}{T_F} c = 2 π 2 n k B T F T (系 4.2 )、v = v F v=v_F v = v F を代入します。k B T F = ε F = 1 2 m v F 2 k_BT_F=\varepsilon_F=\frac12mv_F^2 k B T F = ε F = 2 1 m v F 2 なので
κ = 1 3 ⋅ π 2 2 n k B k B T 1 2 m v F 2 v F 2 τ = π 2 3 n k B 2 T τ m . \kappa=\frac13\cdot\frac{\pi^2}2nk_B\frac{k_BT}{\tfrac12mv_F^2}\,v_F^2\tau=\frac{\pi^2}{3}\frac{nk_B^2T\tau}{m} . κ = 3 1 ⋅ 2 π 2 n k B 2 1 m v F 2 k B T v F 2 τ = 3 π 2 m n k B 2 T τ . 定理 2.2 の σ = n e 2 τ / m \sigma=ne^2\tau/m σ = n e 2 τ / m で割れば κ / σ T = π 2 3 ( k B / e ) 2 \kappa/\sigma T=\frac{\pi^2}3(k_B/e)^2 κ / σ T = 3 π 2 ( k B / e ) 2 です。数値は π 2 3 × ( 8.617 × 10 − 5 V / K ) 2 = 2.44 × 10 − 8 \frac{\pi^2}{3}\times(8.617\times10^{-5}\ \mathrm{V/K})^2=2.44\times10^{-8} 3 π 2 × ( 8.617 × 1 0 − 5 V/K ) 2 = 2.44 × 1 0 − 8 。
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仮定「熱と電気で同じ τ \tau τ 」は、電子が格子欠陥などに弾性散乱される低温や、室温付近でほぼ成り立ちます。
例 5.2 (銅の熱伝導率 )
室温で銅の抵抗率 1.7 × 10 − 8 Ω m 1.7\times10^{-8}\ \Omega\,\mathrm{m} 1.7 × 1 0 − 8 Ω m から、命題 5.1 により κ = L T / ρ = 2.44 × 10 − 8 × 300 1.7 × 10 − 8 = 431 W m − 1 K − 1 \kappa=LT/\rho=\dfrac{2.44\times10^{-8}\times300}{1.7\times10^{-8}}=431\ \mathrm{W\,m^{-1}K^{-1}} κ = L T / ρ = 1.7 × 1 0 − 8 2.44 × 1 0 − 8 × 300 = 431 W m − 1 K − 1 。実測値は約 401 401 401 で、約 7 % の差です。電気をよく通す金属は熱もよく通す、という日常の経験を、定量的に表した式です。
自由電子気体の理論の限界も整理しておきます。Hall 係数の符号(正孔)、金属と絶縁体の違い、実効質量、フェルミ面の形は、いずれも結晶ポテンシャルを取り込まないと説明できません。次章でそれを行います。
演習 6.1 標準
面積 A A A の 2 次元電子気体(電子数 N N N 、スピン縮重 2)について、(1) T = 0 T=0 T = 0 のフェルミエネルギー ε F \varepsilon_F ε F を面密度 n s = N / A n_s=N/A n s = N / A で表せ。(2) 有限温度での化学ポテンシャルが厳密に μ = k B T ln ( e ε F / k B T − 1 ) \mu=k_BT\ln\left(e^{\varepsilon_F/k_BT}-1\right) μ = k B T ln ( e ε F / k B T − 1 ) で与えられることを示せ。
解答 (1) 定理 3.6 より D 2 = m A / π ℏ 2 D_2=mA/\pi\hbar^2 D 2 = m A / π ℏ 2 は定数なので N = D 2 ε F N=D_2\varepsilon_F N = D 2 ε F 、ε F = π ℏ 2 n s / m \varepsilon_F=\pi\hbar^2n_s/m ε F = π ℏ 2 n s / m 。
(2) N = ∫ 0 ∞ D 2 f ( ε ) d ε = D 2 ∫ 0 ∞ d ε e ( ε − μ ) / k B T + 1 = D 2 k B T ln ( 1 + e μ / k B T ) N=\int_0^\infty D_2f(\varepsilon)d\varepsilon=D_2\int_0^\infty\dfrac{d\varepsilon}{e^{(\varepsilon-\mu)/k_BT}+1}=D_2k_BT\ln\left(1+e^{\mu/k_BT}\right) N = ∫ 0 ∞ D 2 f ( ε ) d ε = D 2 ∫ 0 ∞ e ( ε − μ ) / k B T + 1 d ε = D 2 k B T ln ( 1 + e μ / k B T ) (∫ d ε e ( ε − μ ) / k T + 1 = − k T ln ( 1 + e − ( ε − μ ) / k T ) \int\frac{d\varepsilon}{e^{(\varepsilon-\mu)/kT}+1}=-kT\ln(1+e^{-(\varepsilon-\mu)/kT}) ∫ e ( ε − μ ) / k T + 1 d ε = − k T ln ( 1 + e − ( ε − μ ) / k T ) から)。N = D 2 ε F N=D_2\varepsilon_F N = D 2 ε F と等置して e ε F / k B T = 1 + e μ / k B T e^{\varepsilon_F/k_BT}=1+e^{\mu/k_BT} e ε F / k B T = 1 + e μ / k B T 、すなわち主張を得ます。T → 0 T\to0 T → 0 で μ → ε F \mu\to\varepsilon_F μ → ε F 、化学ポテンシャルの温度変化は指数関数的に小さい O ( e − ε F / k B T ) O(e^{-\varepsilon_F/k_BT}) O ( e − ε F / k B T ) で、Sommerfeld 展開の T 2 T^2 T 2 項(係数 D ′ ( ε F ) = 0 D'(\varepsilon_F)=0 D ′ ( ε F ) = 0 )が消えることと整合します。
演習 6.2 易
厚さ t = 0.10 m m t=0.10\ \mathrm{mm} t = 0.10 mm の銅箔(n = 8.5 × 10 28 m − 3 n=8.5\times10^{28}\ \mathrm{m^{-3}} n = 8.5 × 1 0 28 m − 3 )に電流 I = 1.0 A I=1.0\ \mathrm{A} I = 1.0 A を流し、箔面に垂直に B = 1.0 T B=1.0\ \mathrm{T} B = 1.0 T をかけた。命題 2.6 を使って Hall 電圧の大きさを求めよ。
解答 電流密度 j x = I / ( w t ) j_x=I/(wt) j x = I / ( w t ) (w w w は幅)、Hall 電場 ∣ E y ∣ = ∣ R H ∣ j x B = j x B n e |E_y|=|R_H|j_xB=\dfrac{j_xB}{ne} ∣ E y ∣ = ∣ R H ∣ j x B = n e j x B 、Hall 電圧 V H = ∣ E y ∣ w = I B n e t = 1.0 × 1.0 ( 8.5 × 10 28 ) ( 1.60 × 10 − 19 ) ( 1.0 × 10 − 4 ) = 7.4 × 10 − 7 V V_H=|E_y|w=\dfrac{IB}{net}=\dfrac{1.0\times1.0}{(8.5\times10^{28})(1.60\times10^{-19})(1.0\times10^{-4})}=7.4\times10^{-7}\ \mathrm{V} V H = ∣ E y ∣ w = n e t I B = ( 8.5 × 1 0 28 ) ( 1.60 × 1 0 − 19 ) ( 1.0 × 1 0 − 4 ) 1.0 × 1.0 = 7.4 × 1 0 − 7 V 。幅 w w w によらず約 0.7 μ V 0.7\ \mu\mathrm{V} 0.7 μ V という小さな電圧です。金属の Hall 電圧が小さいのは n n n が大きいからで、n n n の小さい半導体では桁違いに大きくなり、磁場センサーに使われます。
演習 6.3 標準
アルミニウム(1 原子あたり価電子 3 個、T F = 1.36 × 10 5 K T_F=1.36\times10^5\ \mathrm{K} T F = 1.36 × 1 0 5 K )の、1 モルの原子あたりの電子比熱係数 γ \gamma γ の自由電子の予言値を 系 4.2 から求めよ。実測値は 1.35 m J m o l − 1 K − 2 1.35\ \mathrm{mJ\,mol^{-1}K^{-2}} 1.35 mJ mo l − 1 K − 2 である。比はいくつか。
解答 電子の数は 1 モルの原子あたり 3 N A 3N_A 3 N A なので、γ = π 2 2 3 N A k B T F = π 2 2 3 R T F = 4.935 × 3 × 8.314 1.36 × 10 5 = 9.05 × 10 − 4 J m o l − 1 K − 2 = 0.905 m J m o l − 1 K − 2 \gamma=\frac{\pi^2}2\frac{3N_Ak_B}{T_F}=\frac{\pi^2}{2}\frac{3R}{T_F}=\frac{4.935\times3\times8.314}{1.36\times10^5}=9.05\times10^{-4}\ \mathrm{J\,mol^{-1}K^{-2}}=0.905\ \mathrm{mJ\,mol^{-1}K^{-2}} γ = 2 π 2 T F 3 N A k B = 2 π 2 T F 3 R = 1.36 × 1 0 5 4.935 × 3 × 8.314 = 9.05 × 1 0 − 4 J mo l − 1 K − 2 = 0.905 mJ mo l − 1 K − 2 。実測との比は 1.35 / 0.905 = 1.49 1.35/0.905=1.49 1.35/0.905 = 1.49 で、実効的な状態密度が自由電子の約 1.5 倍であることを意味します。
演習 6.4 易
室温のアルミニウムの抵抗率は 2.7 × 10 − 8 Ω m 2.7\times10^{-8}\ \Omega\,\mathrm{m} 2.7 × 1 0 − 8 Ω m である。命題 5.1 から熱伝導率を見積もれ(実測は約 237 W m − 1 K − 1 237\ \mathrm{W\,m^{-1}K^{-1}} 237 W m − 1 K − 1 )。
解答 κ = L T / ρ = 2.44 × 10 − 8 × 300 2.7 × 10 − 8 = 271 W m − 1 K − 1 \kappa=LT/\rho=\dfrac{2.44\times10^{-8}\times300}{2.7\times10^{-8}}=271\ \mathrm{W\,m^{-1}K^{-1}} κ = L T / ρ = 2.7 × 1 0 − 8 2.44 × 1 0 − 8 × 300 = 271 W m − 1 K − 1 。実測より約 14 % 大きいですが、桁と傾向はよく合っています。室温ではフォノンによる電子の非弾性散乱で、熱と電気の緩和時間が厳密には一致しなくなる効果が、このずれの一因です。
C. キッテル『キッテル 固体物理学入門』(上・下)丸善出版 — 自由電子フェルミ気体、金属の電気伝導の各章。
N. W. Ashcroft and N. D. Mermin, Solid State Physics , Holt, Rinehart and Winston, 1976 — Chapters 1–2 (Drude theory, Sommerfeld theory of metals), Chapter 3 (failures of the free electron model).
S. H. Simon, The Oxford Solid State Basics , Oxford University Press, 2013 — 金属の電気伝導と Drude 理論、Sommerfeld 理論の各章。
P. Drude, “Zur Elektronentheorie der Metalle”, Annalen der Physik 306 (1900), 566–613.
A. Sommerfeld, “Zur Elektronentheorie der Metalle auf Grund der Fermischen Statistik”, Zeitschrift für Physik 47 (1928), 1–32.