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物質中の電磁場:分極・磁化と D・H、境界条件、エネルギー

対象読者: 本テーマ第 1〜6 章の静電場・境界値問題・マクスウェル方程式と、学部のベクトル解析(発散定理・ストークスの定理)を学んだ人。物性や誘電体・磁性体の知識は仮定しません。

前提となる記事:静電場の境界値問題:一意性定理から鏡像法・変数分離・静電容量まで、マクスウェル方程式と電磁波:4 本の式から光速が出てくるまで

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物質に電場や磁場をかけると、中の原子や分子がわずかに変形したり向きをそろえたりして、物質そのものが新たに電場や磁場をつくります。この記事は、その「物質の側の反応」を少数の量にまとめて、真空の式をほぼそのまま使えるようにする話です。読み終えると、たとえばコンデンサの極板の間に絶縁体を入れると電場が弱まる理由を、式で説明できるようになります。

  • 物質は原子・分子の集まりで、外から電場や磁場をかけると、各分子が小さな電気双極子・磁気双極子(正負の電荷のずれ、小さな電流の輪がつくる、棒磁石のような性質)になります。単位体積あたりの双極子モーメントが分極 P\boldsymbol{P} と磁化 M\boldsymbol{M} です。
  • 分極は ρb=−∇⋅P\rho_b=-\nabla\cdot\boldsymbol{P}、表面 σb=P⋅n\sigma_b=\boldsymbol{P}\cdot\boldsymbol{n} の束縛電荷、磁化は Jb=∇×M\boldsymbol{J}_b=\nabla\times\boldsymbol{M}、表面 Kb=M×n\boldsymbol{K}_b=\boldsymbol{M}\times\boldsymbol{n} の束縛電流とまったく同じ場をつくります。これは近似ではなく、ポテンシャルの積分を部分積分した結果です。
  • 束縛電荷と束縛電流を方程式から消すために D=ε0E+P\boldsymbol{D}=\varepsilon_0\boldsymbol{E}+\boldsymbol{P}、H=B/μ0−M\boldsymbol{H}=\boldsymbol{B}/\mu_0-\boldsymbol{M} を導入すると、真空のマクスウェル方程式は ∇⋅D=ρf\nabla\cdot\boldsymbol{D}=\rho_f、∇×H=Jf+∂tD\nabla\times\boldsymbol{H}=\boldsymbol{J}_f+\partial_t\boldsymbol{D} という形になります。分極の時間変化 ∂tP\partial_t\boldsymbol{P} も電流として数える点が鍵です。
  • 異なる媒質の界面では、D\boldsymbol{D} の法線成分、B\boldsymbol{B} の法線成分、E\boldsymbol{E} の接線成分、H\boldsymbol{H} の接線成分が(自由な面電荷・面電流がなければ)連続です。これと一意性定理(条件を満たす解はただ一つ、という定理)を組み合わせて境界値問題が解けます。
  • 媒質中のエネルギーの出入りは E⋅δD+H⋅δB\boldsymbol{E}\cdot\delta\boldsymbol{D}+\boldsymbol{H}\cdot\delta\boldsymbol{B} で、線形な媒質では 12(E⋅D+H⋅B)\frac12(\boldsymbol{E}\cdot\boldsymbol{D}+\boldsymbol{H}\cdot\boldsymbol{B}) がエネルギー密度です。

1. 動機:真空の式のままでは物質が扱えない

Section titled “1. 動機:真空の式のままでは物質が扱えない”

マクスウェル方程式と電磁波 の 4 本の式は、電荷密度 ρ\rho と電流密度 J\boldsymbol{J} に「すべての」電荷と電流を入れれば、物質の中でも成り立ちます。しかし、1 cm31\,\mathrm{cm}^3 の物質には 102210^{22} 個ほどの原子があり、すべての電荷と電流を書き下すことはできません。実際に知りたいのは、原子スケールで激しく変動する微視的な場ではなく、それを平均した滑らかな巨視的な場です。

実験室で自由に制御できるのは、導線に流す電流や電極に与える電荷のような、外から持ち込める電荷と電流(自由電荷 ρf\rho_f、自由電流 Jf\boldsymbol{J}_f)です。物質の側の応答、つまり外場に応じて原子の中で電荷がわずかにずれる効果や、原子の磁気モーメントがそろう効果は、自由に制御できません。この記事の目標は、物質の応答を P\boldsymbol{P} と M\boldsymbol{M} の 2 つの場にまとめ、それらを方程式の中に整理することです。

静電場の境界値問題 で導体を扱ったときは、導体の表面電荷が未知でも、表面の電位が一定という条件だけで問題が閉じていました。誘電体や磁性体でも同様に、「物質の中の電荷分布は未知だが、境界での接続条件は分かっている」という形で問題を立てます。それが §7 の境界条件の役割です。


以下では、物質は十分に滑らかな巨視的領域 Ω\Omega(有界)を占め、その外は真空とします。場 E,B\boldsymbol{E},\boldsymbol{B} は微視的な場を原子スケールより十分大きく、実験の分解能より十分小さい領域で平均した巨視的な場を表し、電荷密度・電流密度も平均した量とします。このように平均された場も、真空のマクスウェル方程式(定義 3.1[マクスウェル方程式と電磁波])を満たします。平均は線形な操作で、偏微分と交換できるためです。

電荷を 2 種類に分けます。

  • 自由電荷 ρf\rho_f、自由電流 Jf\boldsymbol{J}_f: 導線や電極上の電荷のように、物質の外から制御できるもの。
  • 束縛電荷 ρb\rho_b、束縛電流 Jb\boldsymbol{J}_b: 物質を構成する原子・分子の中にあって、外場に応じて変形・配向するもの。

ρ=ρf+ρb\rho=\rho_f+\rho_b、J=Jf+Jb\boldsymbol{J}=\boldsymbol{J}_f+\boldsymbol{J}_b です。束縛電荷と束縛電流が P\boldsymbol{P}、M\boldsymbol{M} でどう書けるかを次に示します。


定義 3.1(分極)↗

物質の各点のまわりの微小体積 dVdV 内の電気双極子モーメントの総和が P dV\boldsymbol{P}\,dV であるとき、P\boldsymbol{P}(単位 C/m2\mathrm{C/m^2})を分極という。P\boldsymbol{P} は Ω\Omega の閉包上で C1C^1 級、Ω\Omega の外で 00 とする。

位置 y\boldsymbol{y} にある双極子 P dVy\boldsymbol{P}\,dV_y がつくるポテンシャルは、多重極展開(定理 6.1)[静電場の境界値問題] の l=1l=1 の項(原点を y\boldsymbol{y} に移したもの)で、P(y)⋅(x−y)4πε0∣x−y∣3dVy\dfrac{\boldsymbol{P}(\boldsymbol{y})\cdot(\boldsymbol{x}-\boldsymbol{y})}{4\pi\varepsilon_0|\boldsymbol{x}-\boldsymbol{y}|^3}dV_y です。全体では

VP(x)=14πε0∫ΩP(y)⋅(x−y)∣x−y∣3 dVy.V_P(\boldsymbol{x})=\frac{1}{4\pi\varepsilon_0}\int_\Omega\frac{\boldsymbol{P}(\boldsymbol{y})\cdot(\boldsymbol{x}-\boldsymbol{y})}{|\boldsymbol{x}-\boldsymbol{y}|^3}\,dV_y .

定理 3.2(束縛電荷)✓

上の VPV_P は

VP(x)=14πε0[∫Ωρb(y)∣x−y∣dVy+∮∂Ωσb(y)∣x−y∣dSy],ρb=−∇⋅P,σb=P⋅nV_P(\boldsymbol{x})=\frac{1}{4\pi\varepsilon_0}\left[\int_\Omega\frac{\rho_b(\boldsymbol{y})}{|\boldsymbol{x}-\boldsymbol{y}|}dV_y+\oint_{\partial\Omega}\frac{\sigma_b(\boldsymbol{y})}{|\boldsymbol{x}-\boldsymbol{y}|}dS_y\right],\qquad\rho_b=-\nabla\cdot\boldsymbol{P},\quad\sigma_b=\boldsymbol{P}\cdot\boldsymbol{n}

と書ける。ここで n\boldsymbol{n} は ∂Ω\partial\Omega の外向き単位法線である。とくに全束縛電荷 ∫Ωρb dV+∮σb dS=0\int_\Omega\rho_b\,dV+\oint\sigma_b\,dS=0 である。

証明の方針は、双極子の式を「1/∣x−y∣1/|\boldsymbol{x}-\boldsymbol{y}| の微分」の形に直し、部分積分(発散定理)で微分を P\boldsymbol{P} の側に移すことです。体積積分には −∇⋅P-\nabla\cdot\boldsymbol{P} が、境界の面積分には P⋅n\boldsymbol{P}\cdot\boldsymbol{n} が現れます。観測点 x\boldsymbol{x} が物質の内部にあると被積分関数が x\boldsymbol{x} で発散するので、その点のまわりの小さな球を取り除いて極限を取ります。

証明(定理 3.2)

∇y1∣x−y∣=x−y∣x−y∣3\nabla_y\dfrac{1}{|\boldsymbol{x}-\boldsymbol{y}|}=\dfrac{\boldsymbol{x}-\boldsymbol{y}}{|\boldsymbol{x}-\boldsymbol{y}|^3} であり、積の微分から

P⋅(x−y)∣x−y∣3=P⋅∇y1∣x−y∣=∇y⋅(P∣x−y∣)−∇y⋅P∣x−y∣.\frac{\boldsymbol{P}\cdot(\boldsymbol{x}-\boldsymbol{y})}{|\boldsymbol{x}-\boldsymbol{y}|^3}=\boldsymbol{P}\cdot\nabla_y\frac{1}{|\boldsymbol{x}-\boldsymbol{y}|}=\nabla_y\cdot\Bigl(\frac{\boldsymbol{P}}{|\boldsymbol{x}-\boldsymbol{y}|}\Bigr)-\frac{\nabla_y\cdot\boldsymbol{P}}{|\boldsymbol{x}-\boldsymbol{y}|} .

x∉Ω‾\boldsymbol{x}\notin\overline\Omega なら右辺は Ω\Omega 上で C1C^1 なので、発散定理(定理 5.3)[静電場とガウスの法則] により第 1 項の積分は ∮∂ΩP⋅n/∣x−y∣ dSy\oint_{\partial\Omega}\boldsymbol{P}\cdot\boldsymbol{n}/|\boldsymbol{x}-\boldsymbol{y}|\,dS_y になり、主張を得ます。x∈Ω\boldsymbol{x}\in\Omega のときは、小さな球 Bϵ(x)B_\epsilon(\boldsymbol{x}) を除いた領域に発散定理を使います。BϵB_\epsilon の境界の寄与は絶対値が ≤sup⁡∣P∣⋅4πϵ2/ϵ→0\le\sup|\boldsymbol{P}|\cdot4\pi\epsilon^2/\epsilon\to0 で、残る体積積分の被積分関数は ∣x−y∣−1|\boldsymbol{x}-\boldsymbol{y}|^{-1} または ∣x−y∣−2|\boldsymbol{x}-\boldsymbol{y}|^{-2} の程度の特異性しかもたず絶対可積分なので、ϵ→0\epsilon\to0 の極限で同じ式が成り立ちます。

全束縛電荷は、∫Ω(−∇⋅P)dV=−∮P⋅n dS\int_\Omega(-\nabla\cdot\boldsymbol{P})dV=-\oint\boldsymbol{P}\cdot\boldsymbol{n}\,dS(発散定理)と表面電荷の和で 00 です。

結局、分極した物質は「体積電荷密度 −∇⋅P-\nabla\cdot\boldsymbol{P} と面電荷密度 P⋅n\boldsymbol{P}\cdot\boldsymbol{n} の電荷分布」と区別がつきません。一様に分極した物体では内部の ρb=0\rho_b=0 で、分極の向きに垂直な端面にだけ ±∣P∣\pm|\boldsymbol{P}| の面電荷が現れます。分子が整列した結果、内部の電荷は打ち消し合い、端の分子の「頭」と「尾」が表面に残るのです。

−−−+++P →σ_b = −|P|σ_b = +|P|
一様に分極した板。内部では双極子の正負が隣り合って打ち消し、端面にだけ束縛面電荷 σ_b = P·n が残る。

静電場のガウスの法則(定理 5.6[静電場とガウスの法則])∇⋅E=ρ/ε0\nabla\cdot\boldsymbol{E}=\rho/\varepsilon_0 の ρ\rho を ρf+ρb=ρf−∇⋅P\rho_f+\rho_b=\rho_f-\nabla\cdot\boldsymbol{P} と書くと、∇⋅(ε0E+P)=ρf\nabla\cdot(\varepsilon_0\boldsymbol{E}+\boldsymbol{P})=\rho_f となります。

定義 4.1(電束密度)↗

D:=ε0E+P\boldsymbol{D}:=\varepsilon_0\boldsymbol{E}+\boldsymbol{P} を電束密度という。

定理 4.2(D に対するガウスの法則)✓

物質内の各点で ∇⋅D=ρf\nabla\cdot\boldsymbol{D}=\rho_f が成り立つ。積分形では、物質の内外を含む任意の閉曲面 SS について ∮SD⋅dS=Qf\oint_S\boldsymbol{D}\cdot d\boldsymbol{S}=Q_f(SS 内部の自由電荷の総量)である。

証明(定理 4.2)

∇⋅E=(ρf+ρb)/ε0\nabla\cdot\boldsymbol{E}=(\rho_f+\rho_b)/\varepsilon_0 に 定理 3.2 の ρb=−∇⋅P\rho_b=-\nabla\cdot\boldsymbol{P} を代入し、ε0∇⋅E+∇⋅P=ρf\varepsilon_0\nabla\cdot\boldsymbol{E}+\nabla\cdot\boldsymbol{P}=\rho_f とします。積分形は発散定理から従います(界面を貫く曲面では §7 の境界条件を併用します)。

この方程式は D\boldsymbol{D} の湧き出し(発散)だけを決めます。E\boldsymbol{E} は静電場なら ∇×E=0\nabla\times\boldsymbol{E}=\boldsymbol{0} ですが、∇×D=∇×P\nabla\times\boldsymbol{D}=\nabla\times\boldsymbol{P} は一般に 00 でないので、D\boldsymbol{D} は ρf\rho_f だけからは決まりません。P\boldsymbol{P} と E\boldsymbol{E} を結ぶ構成方程式が必要です。多くの等方的な誘電体では、弱い電場で

定義 4.3(線形誘電体)↗

P=ε0χeE\boldsymbol{P}=\varepsilon_0\chi_e\boldsymbol{E}(χe\chi_e は電気感受率)が成り立つ物質を線形誘電体という。このとき D=εE\boldsymbol{D}=\varepsilon\boldsymbol{E}、ε=ε0(1+χe)=ε0εr\varepsilon=\varepsilon_0(1+\chi_e)=\varepsilon_0\varepsilon_r で、ε\varepsilon を誘電率、εr\varepsilon_r を比誘電率という。

水は常温で εr≈80\varepsilon_r\approx80、空気は 1.00061.0006 ほどです。

例 4.4(誘電体を詰めた平行板コンデンサ)

面積 SS、間隔 dd の平行板に自由電荷 ±Q\pm Q を与え、間を比誘電率 εr\varepsilon_r の誘電体で満たします。極板に垂直で内部に入る小さな円柱に 定理 4.2 を使うと、極板の間で D=Q/SD=Q/S です(外側では D=0\boldsymbol{D}=\boldsymbol{0})。したがって E=D/ε=Q/(εrSε0)E=D/\varepsilon=Q/(\varepsilon_rS\varepsilon_0) は真空のときの 1/εr1/\varepsilon_r になり、電位差も 1/εr1/\varepsilon_r、静電容量は C=εrC0=εrε0S/dC=\varepsilon_rC_0=\varepsilon_r\varepsilon_0S/d です。誘電体表面の束縛電荷は σb=±P=±ε0χeE=±εr−1εrQS\sigma_b=\pm P=\pm\varepsilon_0\chi_eE=\pm\frac{\varepsilon_r-1}{\varepsilon_r}\frac QS で、自由電荷 Q/SQ/S との合計が Q/(εrS)Q/(\varepsilon_rS) に目減りします。これが電場が弱まる理由です。


定義 5.1(磁化)↗

物質の各点のまわりの微小体積 dVdV 内の磁気双極子モーメントの総和が M dV\boldsymbol{M}\,dV であるとき、M\boldsymbol{M}(単位 A/m\mathrm{A/m})を磁化という。M\boldsymbol{M} は Ω\Omega の閉包上で C1C^1 級、外で 00 とする。

微小な電流ループの磁気モーメントが、電流分布から m=12∫y×J dV\boldsymbol{m}=\frac12\int\boldsymbol{y}\times\boldsymbol{J}\,dV と定義され、遠方のベクトルポテンシャルが A=μ04πm×xr3\boldsymbol{A}=\dfrac{\mu_0}{4\pi}\dfrac{\boldsymbol{m}\times\boldsymbol{x}}{r^3} になることを先に確認します。

補題 5.2(定常電流のモーメント)✓

J\boldsymbol{J} を C1C^1 級でコンパクトな台をもち ∇⋅J=0\nabla\cdot\boldsymbol{J}=0 を満たす電流密度とする。このとき ∫Ji dV=0\int J_i\,dV=0、∫(Jiyj+Jjyi) dV=0\int(J_iy_j+J_jy_i)\,dV=0 である。

証明(補題 5.2)

∇⋅J=0\nabla\cdot\boldsymbol{J}=0 より ∇⋅(yiJ)=Ji\nabla\cdot(y_i\boldsymbol{J})=J_i、∇⋅(yiyjJ)=Jiyj+Jjyi\nabla\cdot(y_iy_j\boldsymbol{J})=J_iy_j+J_jy_i です。これらはコンパクトな台をもつ C1C^1 級ベクトル場の発散なので、発散定理(十分大きな球上で境界項が 00)により積分は 00 です。

命題 5.3(磁気双極子のベクトルポテンシャル)✓

上と同じ J\boldsymbol{J} について、ベクトルポテンシャル(定義 4.1)[定常電流と静磁場] は r=∣x∣→∞r=|\boldsymbol{x}|\to\infty で

A(x)=μ04πm×xr3+O(r−3),m=12∫y×J(y) dV\boldsymbol{A}(\boldsymbol{x})=\frac{\mu_0}{4\pi}\frac{\boldsymbol{m}\times\boldsymbol{x}}{r^3}+O(r^{-3}),\qquad\boldsymbol{m}=\frac12\int\boldsymbol{y}\times\boldsymbol{J}(\boldsymbol{y})\,dV

と振る舞う。

ここで示したいのは、小さな電流の輪を遠くから見ると、電気双極子と同じ形で m×x/r3\boldsymbol{m}\times\boldsymbol{x}/r^3 に比例するベクトルポテンシャルをつくる、ということです。証明では、1/∣x−y∣1/|\boldsymbol{x}-\boldsymbol{y}| を展開して最初に残る項を取り出し、補題で ∫Jiyj dV\int J_iy_j\,dV が添字 i,ji,j について反対称な部分だけをもつことを使います。その反対称な部分が外積、つまり m\boldsymbol{m} の成分に対応します。

証明(命題 5.3)

∣y∣≤a|\boldsymbol{y}|\le a の範囲で 1∣x−y∣=1r+x⋅yr3+O(r−3)\dfrac{1}{|\boldsymbol{x}-\boldsymbol{y}|}=\dfrac1r+\dfrac{\boldsymbol{x}\cdot\boldsymbol{y}}{r^3}+O(r^{-3}) です(定理 6.1[静電場の境界値問題] の証明の展開、l=0,1l=0,1 の項)。Ai=μ04π∫Ji/∣x−y∣ dVA_i=\frac{\mu_0}{4\pi}\int J_i/|\boldsymbol{x}-\boldsymbol{y}|\,dV に代入すると、第 1 項は 補題 5.2 で 00、第 2 項は μ04πr3xj∫Jiyj dV\frac{\mu_0}{4\pi r^3}x_j\int J_iy_j\,dV です。補題の第 2 式から ∫Jiyj dV=12∫(Jiyj−Jjyi)dV\int J_iy_j\,dV=\frac12\int(J_iy_j-J_jy_i)dV なので、

∑jxj∫Jiyj dV=12∫[(x⋅y)Ji−(x⋅J)yi]dV=12[x×∫J×y dV]i=(m×x)i\sum_jx_j\int J_iy_j\,dV=\frac12\int\bigl[(\boldsymbol{x}\cdot\boldsymbol{y})J_i-(\boldsymbol{x}\cdot\boldsymbol{J})y_i\bigr]dV=\frac12\Bigl[\boldsymbol{x}\times\int\boldsymbol{J}\times\boldsymbol{y}\,dV\Bigr]_i=\bigl(\boldsymbol{m}\times\boldsymbol{x}\bigr)_i

です。2 つ目の等号は二重外積の公式 x×(J×y)=J(x⋅y)−y(x⋅J)\boldsymbol{x}\times(\boldsymbol{J}\times\boldsymbol{y})=\boldsymbol{J}(\boldsymbol{x}\cdot\boldsymbol{y})-\boldsymbol{y}(\boldsymbol{x}\cdot\boldsymbol{J}) から、3 つ目の等号は ∫J×y dV=−2m\int\boldsymbol{J}\times\boldsymbol{y}\,dV=-2\boldsymbol{m} から従います。

位置 y\boldsymbol{y} の磁化 M dVy\boldsymbol{M}\,dV_y がつくるベクトルポテンシャルは、これを原点移動したもので、全体では

AM(x)=μ04π∫ΩM(y)×(x−y)∣x−y∣3 dVy.\boldsymbol{A}_M(\boldsymbol{x})=\frac{\mu_0}{4\pi}\int_\Omega\frac{\boldsymbol{M}(\boldsymbol{y})\times(\boldsymbol{x}-\boldsymbol{y})}{|\boldsymbol{x}-\boldsymbol{y}|^3}\,dV_y .

定理 5.4(束縛電流)✓

AM\boldsymbol{A}_M は

AM(x)=μ04π[∫ΩJb(y)∣x−y∣dVy+∮∂ΩKb(y)∣x−y∣dSy],Jb=∇×M,Kb=M×n\boldsymbol{A}_M(\boldsymbol{x})=\frac{\mu_0}{4\pi}\left[\int_\Omega\frac{\boldsymbol{J}_b(\boldsymbol{y})}{|\boldsymbol{x}-\boldsymbol{y}|}dV_y+\oint_{\partial\Omega}\frac{\boldsymbol{K}_b(\boldsymbol{y})}{|\boldsymbol{x}-\boldsymbol{y}|}dS_y\right],\qquad\boldsymbol{J}_b=\nabla\times\boldsymbol{M},\quad\boldsymbol{K}_b=\boldsymbol{M}\times\boldsymbol{n}

と書ける。

証明(定理 5.4)

f(y)=1/∣x−y∣f(\boldsymbol{y})=1/|\boldsymbol{x}-\boldsymbol{y}| とおくと ∇yf=(x−y)/∣x−y∣3\nabla_yf=(\boldsymbol{x}-\boldsymbol{y})/|\boldsymbol{x}-\boldsymbol{y}|^3 なので、被積分関数は M×∇f\boldsymbol{M}\times\nabla f です。積の微分 ∇×(fM)=f∇×M+∇f×M\nabla\times(f\boldsymbol{M})=f\nabla\times\boldsymbol{M}+\nabla f\times\boldsymbol{M} より M×∇f=f ∇×M−∇×(fM)\boldsymbol{M}\times\nabla f=f\,\nabla\times\boldsymbol{M}-\nabla\times(f\boldsymbol{M}) です。

次に、回転定理 ∫Ω∇×F dV=∮∂Ωn×F dS\int_\Omega\nabla\times\boldsymbol{F}\,dV=\oint_{\partial\Omega}\boldsymbol{n}\times\boldsymbol{F}\,dS を示します。定ベクトル c\boldsymbol{c} に対し ∇⋅(F×c)=c⋅(∇×F)\nabla\cdot(\boldsymbol{F}\times\boldsymbol{c})=\boldsymbol{c}\cdot(\nabla\times\boldsymbol{F}) が成り立つので(成分計算で確かめられる恒等式で、定理 6.2[マクスウェル方程式と電磁波] の証明で使ったものと同じです)、発散定理から c⋅∫∇×F dV=∮(F×c)⋅n dS=c⋅∮n×F dS\boldsymbol{c}\cdot\int\nabla\times\boldsymbol{F}\,dV=\oint(\boldsymbol{F}\times\boldsymbol{c})\cdot\boldsymbol{n}\,dS=\boldsymbol{c}\cdot\oint\boldsymbol{n}\times\boldsymbol{F}\,dS であり、c\boldsymbol{c} は任意だから主張を得ます。

したがって x∉Ω‾\boldsymbol{x}\notin\overline\Omega なら ∫M×∇f dV=∫f∇×M dV−∮f n×M dS\int\boldsymbol{M}\times\nabla f\,dV=\int f\nabla\times\boldsymbol{M}\,dV-\oint f\,\boldsymbol{n}\times\boldsymbol{M}\,dS で、−n×M=M×n-\boldsymbol{n}\times\boldsymbol{M}=\boldsymbol{M}\times\boldsymbol{n} です。x∈Ω\boldsymbol{x}\in\Omega のときの特異点の処理は 定理 3.2 の証明と同じです。

分極が ρb=−∇⋅P\rho_b=-\nabla\cdot\boldsymbol{P}、σb=P⋅n\sigma_b=\boldsymbol{P}\cdot\boldsymbol{n} に対応したのと同じように、磁化は Jb=∇×M\boldsymbol{J}_b=\nabla\times\boldsymbol{M}、Kb=M×n\boldsymbol{K}_b=\boldsymbol{M}\times\boldsymbol{n} に対応します。物質内部では分子電流が隣と打ち消し合い、表面にだけ連続した環状電流が残る、という描像です。

各輪の電流は反時計回り(M は紙面の手前向き)点線:外周に残る電流 K_b
一様に磁化した物体の断面。小さな分子電流の輪(紙面から手前向きの磁化)は、内部で隣り合う部分の電流が逆向きに打ち消し合い、外周にだけ一周する束縛面電流 K_b = M × n が残る。

6. H と巨視的なマクスウェル方程式

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分極が時間変化すると、束縛電荷が動くので電流が生じます。この電流の密度 Jp\boldsymbol{J}_p は、束縛電荷の保存則 ∂tρb+∇⋅Jp=0\partial_t\rho_b+\nabla\cdot\boldsymbol{J}_p=0 から決まります。ρb=−∇⋅P\rho_b=-\nabla\cdot\boldsymbol{P} なので、

∇⋅Jp=−∂tρb=∇⋅∂tP\nabla\cdot\boldsymbol{J}_p=-\partial_t\rho_b=\nabla\cdot\partial_t\boldsymbol{P}

で、Jp=∂tP\boldsymbol{J}_p=\partial_t\boldsymbol{P} とすれば満たされます。保存則からわかるのは発散だけなので、ここでは保存則を満たす最も素直な選び方として ∂tP\partial_t\boldsymbol{P} を採ります。これを分極電流といいます。全電流は J=Jf+∇×M+∂tP\boldsymbol{J}=\boldsymbol{J}_f+\nabla\times\boldsymbol{M}+\partial_t\boldsymbol{P} です。

定義 6.1(磁場の強さ H)↗

H:=Bμ0−M\boldsymbol{H}:=\dfrac{\boldsymbol{B}}{\mu_0}-\boldsymbol{M} を(補助場としての)磁場の強さという。

定理 6.2(巨視的なマクスウェル方程式)✓

(E,B)(\boldsymbol{E},\boldsymbol{B}) が源 ρ=ρf−∇⋅P\rho=\rho_f-\nabla\cdot\boldsymbol{P}、J=Jf+∇×M+∂tP\boldsymbol{J}=\boldsymbol{J}_f+\nabla\times\boldsymbol{M}+\partial_t\boldsymbol{P} に対する真空のマクスウェル方程式(定義 3.1[マクスウェル方程式と電磁波])を満たすとき、D=ε0E+P\boldsymbol{D}=\varepsilon_0\boldsymbol{E}+\boldsymbol{P}、H=B/μ0−M\boldsymbol{H}=\boldsymbol{B}/\mu_0-\boldsymbol{M} について

∇⋅D=ρf,∇⋅B=0,∇×E=−∂tB,∇×H=Jf+∂tD\begin{aligned} \nabla\cdot\boldsymbol{D}&=\rho_f, & \nabla\cdot\boldsymbol{B}&=0,\\ \nabla\times\boldsymbol{E}&=-\partial_t\boldsymbol{B}, & \nabla\times\boldsymbol{H}&=\boldsymbol{J}_f+\partial_t\boldsymbol{D} \end{aligned}

が成り立つ。

証明(定理 6.2)

(M1) は 定理 4.2 で、(M2) と (M3) は D,H\boldsymbol{D},\boldsymbol{H} を含まないので変わりません。(M4) ∇×B=μ0J+ε0μ0∂tE\nabla\times\boldsymbol{B}=\mu_0\boldsymbol{J}+\varepsilon_0\mu_0\partial_t\boldsymbol{E} に J\boldsymbol{J} を代入して μ0\mu_0 で割ると

∇×Bμ0=Jf+∇×M+∂tP+ε0∂tE,\nabla\times\frac{\boldsymbol{B}}{\mu_0}=\boldsymbol{J}_f+\nabla\times\boldsymbol{M}+\partial_t\boldsymbol{P}+\varepsilon_0\partial_t\boldsymbol{E} ,

つまり ∇×(B/μ0−M)=Jf+∂t(ε0E+P)\nabla\times(\boldsymbol{B}/\mu_0-\boldsymbol{M})=\boldsymbol{J}_f+\partial_t(\varepsilon_0\boldsymbol{E}+\boldsymbol{P}) です。

分極電流 ∂tP\partial_t\boldsymbol{P} を落とすと、右辺の ∂tD\partial_t\boldsymbol{D} が ε0∂tE\varepsilon_0\partial_t\boldsymbol{E} になってしまい、変位電流が物質の応答分だけ欠けます。

これでも方程式は閉じません(未知数が E,B,D,H\boldsymbol{E},\boldsymbol{B},\boldsymbol{D},\boldsymbol{H} の 12 成分に対し、式は 8 本)。残りは物質ごとの構成方程式です。磁性体では、弱い磁場で M=χmH\boldsymbol{M}=\chi_m\boldsymbol{H} すなわち B=μH\boldsymbol{B}=\mu\boldsymbol{H}、μ=μ0(1+χm)\mu=\mu_0(1+\chi_m) とします。χm\chi_m は常磁性体で小さな正(10−510^{-5} 程度)、反磁性体で小さな負、強磁性体では 10310^3 以上で非線形、ヒステリシス(磁化が過去の履歴に依存し、H\boldsymbol{H} を戻しても元の値に戻らない性質)をもちます。


定理 7.1(界面の境界条件)✓

媒質 1 と媒質 2 の界面 Σ\Sigma(滑らかな曲面)の点で、n\boldsymbol{n} を媒質 1 から 2 に向かう単位法線とし、各場は両側から Σ\Sigma まで連続に延びるとする。Σ\Sigma に自由な面電荷密度 σf\sigma_f、面電流密度 Kf\boldsymbol{K}_f(Σ\Sigma に接する)があってよい。このとき、添字で各側の極限値を表して

n⋅(D2−D1)=σf,n⋅(B2−B1)=0,\boldsymbol{n}\cdot(\boldsymbol{D}_2-\boldsymbol{D}_1)=\sigma_f,\qquad\boldsymbol{n}\cdot(\boldsymbol{B}_2-\boldsymbol{B}_1)=0,n×(E2−E1)=0,n×(H2−H1)=Kf\boldsymbol{n}\times(\boldsymbol{E}_2-\boldsymbol{E}_1)=\boldsymbol{0},\qquad\boldsymbol{n}\times(\boldsymbol{H}_2-\boldsymbol{H}_1)=\boldsymbol{K}_f

が成り立つ。

証明の考え方は、界面を挟む「薄い円柱」と「細長い長方形の閉曲線」に積分形の法則を使い、厚み 2h2h を 00 に縮めることです。円柱の底面は界面に平行で、両側の法線成分の差だけが残ります。長方形の長辺は界面に平行で、両側の接線成分の差だけが残ります。

証明(定理 7.1)

積分形の法則 ∮D⋅dS=Qf\oint\boldsymbol{D}\cdot d\boldsymbol{S}=Q_f、∮B⋅dS=0\oint\boldsymbol{B}\cdot d\boldsymbol{S}=0、∮E⋅dl=−ddt∫B⋅dS\oint\boldsymbol{E}\cdot d\boldsymbol{l}=-\frac{d}{dt}\int\boldsymbol{B}\cdot d\boldsymbol{S}、∮H⋅dl=If+ddt∫D⋅dS\oint\boldsymbol{H}\cdot d\boldsymbol{l}=I_f+\frac{d}{dt}\int\boldsymbol{D}\cdot d\boldsymbol{S} を、界面を挟む小さな領域に適用します(これらは 定理 6.2 に発散定理・ストークスの定理を使って得られ、面分布の自由電荷・自由電流を含めて成り立つ形で用います。定理 3.3[マクスウェル方程式と電磁波] を参照)。

法線成分。 界面上の点を含む、底面積 AA で界面に平行な 2 枚の底面を両側にもつ高さ 2h2h の円柱を取ります。h→0h\to0 で側面の寄与は 00 に近づき(場は有界)、底面の寄与から n⋅(D2−D1)A=σfA\boldsymbol{n}\cdot(\boldsymbol{D}_2-\boldsymbol{D}_1)A=\sigma_fA です。同様に B\boldsymbol{B} は湧き出しがない(右辺が常に 00)ので n⋅(B2−B1)=0\boldsymbol{n}\cdot(\boldsymbol{B}_2-\boldsymbol{B}_1)=0 です。

接線成分。 界面に接する単位ベクトル t\boldsymbol{t} をとり、界面を挟んで長さ ℓ\ell(t\boldsymbol{t} 方向)、高さ 2h2h の長方形の閉曲線を、媒質 1 側を +t+\boldsymbol{t} に、媒質 2 側を −t-\boldsymbol{t} に進む向きに取ります。h→0h\to0 で長方形の面積は 00 に近づくので、右辺の ddt∫B⋅dS\frac{d}{dt}\int\boldsymbol{B}\cdot d\boldsymbol{S} と ddt∫D⋅dS\frac{d}{dt}\int\boldsymbol{D}\cdot d\boldsymbol{S} は(場の時間微分が有界なら)00 に近づき、短辺の寄与も 00 に近づきます。E\boldsymbol{E} では ℓ t⋅(E1−E2)=0\ell\,\boldsymbol{t}\cdot(\boldsymbol{E}_1-\boldsymbol{E}_2)=0、H\boldsymbol{H} では ℓ t⋅(H1−H2)=\ell\,\boldsymbol{t}\cdot(\boldsymbol{H}_1-\boldsymbol{H}_2)= 長方形を貫く自由電流 =ℓ Kf⋅(t×n)=ℓ t⋅(n×Kf)=\ell\,\boldsymbol{K}_f\cdot(\boldsymbol{t}\times\boldsymbol{n})=\ell\,\boldsymbol{t}\cdot(\boldsymbol{n}\times\boldsymbol{K}_f) です。t\boldsymbol{t} は接ベクトルなら何でもよいので、接線成分についての等式 E2∥=E1∥\boldsymbol{E}_{2\parallel}=\boldsymbol{E}_{1\parallel}、H1∥−H2∥=n×Kf\boldsymbol{H}_{1\parallel}-\boldsymbol{H}_{2\parallel}=\boldsymbol{n}\times\boldsymbol{K}_f を得ます。後者に左から n×\boldsymbol{n}\times を作用させ、n×(n×Kf)=−Kf\boldsymbol{n}\times(\boldsymbol{n}\times\boldsymbol{K}_f)=-\boldsymbol{K}_f を使えば n×(H2−H1)=Kf\boldsymbol{n}\times(\boldsymbol{H}_2-\boldsymbol{H}_1)=\boldsymbol{K}_f です。

自由電荷・自由電流が界面にない場合は、DnD_n、BnB_n、EtE_t、HtH_t がすべて連続です。この 4 条件が、境界値問題で領域をつなぐ「接続条件」になります。

例 7.2(界面での電気力線の屈折)

自由電荷のない誘電体界面(誘電率 ε1,ε2\varepsilon_1,\varepsilon_2)で、電場が法線となす角を θ1,θ2\theta_1,\theta_2 とします。EtE_t の連続から E1sin⁡θ1=E2sin⁡θ2E_1\sin\theta_1=E_2\sin\theta_2、DnD_n の連続から ε1E1cos⁡θ1=ε2E2cos⁡θ2\varepsilon_1E_1\cos\theta_1=\varepsilon_2E_2\cos\theta_2 です。辺々割ると

tan⁡θ1ε1=tan⁡θ2ε2\frac{\tan\theta_1}{\varepsilon_1}=\frac{\tan\theta_2}{\varepsilon_2}

です。誘電率の大きい側ほど電気力線は界面に寝ます。磁場でも、BnB_n と HtH_t の連続から tan⁡θ1/μ1=tan⁡θ2/μ2\tan\theta_1/\mu_1=\tan\theta_2/\mu_2 が同様に得られ、高透磁率の物質は磁力線を内部に引き込みます(磁気遮蔽の原理です)。

導体のとき同様、誘電体を含む問題も解が一意に決まります。

命題 7.3(区分的に一様な誘電体の一意性)✓

有界領域 Ω\Omega が互いに交わらない部分領域 Ω1,…,ΩN\Omega_1,\dots,\Omega_N(各々に一様な誘電率 εk>0\varepsilon_k>0、境界は区分的に滑らか)に分割され、VV は各 Ωk‾\overline{\Omega_k} で C2C^2 級、Ωk\Omega_k 内で ΔV=0\Delta V=0、界面で VV と ε∂nV\varepsilon\partial_nV が連続(自由電荷なし)、∂Ω\partial\Omega 上で VV が既知とする。このような VV は一つしかない。

証明(命題 7.3)

2 つの解の差 ww は同じ条件を満たし、∂Ω\partial\Omega 上で w=0w=0 です。各 Ωk\Omega_k で第一恒等式(命題 2.2[静電場の境界値問題])を φ=ψ=w\varphi=\psi=w に使い、εk\varepsilon_k を掛けて足すと

∑kεk∫Ωk∣∇w∣2dV=∑kεk∮∂Ωkw ∂νw dS\sum_k\varepsilon_k\int_{\Omega_k}|\nabla w|^2dV=\sum_k\varepsilon_k\oint_{\partial\Omega_k}w\,\partial_\nu w\,dS

です(ν\nu は Ωk\Omega_k の外向き法線)。2 つの領域の共通の界面では、ν\nu が逆向きで、ww と ε∂nw\varepsilon\partial_nw が連続なので寄与が打ち消し合います。残る ∂Ω\partial\Omega では w=0w=0 です。よって左辺は 00、∇w≡0\nabla w\equiv\boldsymbol{0}(各 Ωk\Omega_k 内)で、ww は各領域で定数、ww は連続なので界面を経て全体で同じ定数、境界で 00 だから w≡0w\equiv0 です。

外部が無限に広がる場合も、定理 3.1[静電場の境界値問題] (c) と同様に、減衰条件の下で同じ結論が成り立ちます。

例 7.4(一様電場の中の誘電体球)

誘電率 ε=εrε0\varepsilon=\varepsilon_r\varepsilon_0、半径 RR の誘電体球を、真空中の一様な電場 E0=E0ez\boldsymbol{E}_0=E_0\boldsymbol{e}_z の中に置きます。自由電荷はありません。軸対称なので、球内外のポテンシャルを 命題 5.5[静電場の境界値問題] の解(l=1l=1 だけ)で置きます。

Vin=−Arcos⁡θ,Vout=−E0rcos⁡θ+Bcos⁡θr2.V_{\text{in}}=-Ar\cos\theta,\qquad V_{\text{out}}=-E_0r\cos\theta+\frac{B\cos\theta}{r^2}.

r=Rr=R で、(a) VV の連続: −AR=−E0R+B/R2-AR=-E_0R+B/R^2、(b) DrD_r の連続(定理 7.1): −ε∂rVin=−ε0∂rVout-\varepsilon\partial_rV_{\text{in}}=-\varepsilon_0\partial_rV_{\text{out}} すなわち εA=ε0(E0+2B/R3)\varepsilon A=\varepsilon_0(E_0+2B/R^3)。(a) から B=R3(E0−A)B=R^3(E_0-A) で、(b) に代入して εrA=3E0−2A\varepsilon_rA=3E_0-2A より

A=3εr+2E0,B=εr−1εr+2R3E0.A=\frac{3}{\varepsilon_r+2}E_0,\qquad B=\frac{\varepsilon_r-1}{\varepsilon_r+2}R^3E_0 .

球内の電場 Ein=Aez\boldsymbol{E}_{\text{in}}=A\boldsymbol{e}_z は一様で、E0E_0 より弱くなります(εr→∞\varepsilon_r\to\infty で 00、導体球の極限と一致)。命題 7.3 と、無限遠での減衰(Vout+E0z=O(r−2)V_{\text{out}}+E_0z=O(r^{-2}))から、これが唯一の解です。球内の分極は P=ε0(εr−1)Ein\boldsymbol{P}=\varepsilon_0(\varepsilon_r-1)\boldsymbol{E}_{\text{in}} で一様、球外の場は Bcos⁡θr2=pcos⁡θ4πε0r2\dfrac{B\cos\theta}{r^2}=\dfrac{p\cos\theta}{4\pi\varepsilon_0r^2}、p=4π3R3Pp=\dfrac{4\pi}{3}R^3P の双極子の場です。実際 p4πε0=R3P3ε0=R33(εr−1)A\dfrac{p}{4\pi\varepsilon_0}=\dfrac{R^3P}{3\varepsilon_0}=\dfrac{R^3}{3}(\varepsilon_r-1)A に A=3E0/(εr+2)A=3E_0/(\varepsilon_r+2) を入れると、上の BB に一致します。球の分極電荷が外にまき散らす場は、球全体が一つの双極子として振る舞うことで説明されます。

次の例は、電気の場合を先に解き、磁気の場合は同じ計算の置き換え(P/ε0\boldsymbol{P}/\varepsilon_0 の役を M\boldsymbol{M} に、E\boldsymbol{E} の役を H\boldsymbol{H} に担わせる)で済ませます。置き換えが成り立つのは、どちらも球の表面で法線成分と接線成分の条件が同じ形になるためです。

例 7.5(一様に分極・磁化した球)

自由電荷や自由電流がなく、一様な P=Pez\boldsymbol{P}=P\boldsymbol{e}_z で分極した半径 RR の球を考えます。内部の ρb=0\rho_b=0、表面の σb=Pcos⁡θ\sigma_b=P\cos\theta です。球内外のポテンシャルは Vin=−Arcos⁡θV_{\text{in}}=-Ar\cos\theta、Vout=Bcos⁡θ/r2V_{\text{out}}=B\cos\theta/r^2 で、r=Rr=R での連続性から B=−AR3B=-AR^3、ErE_r の跳びから 2B/R3−A=P/ε02B/R^3-A=P/\varepsilon_0(定理 7.1 で D=ε0E+P\boldsymbol{D}=\varepsilon_0\boldsymbol{E}+\boldsymbol{P} の法線成分の連続を使う)です。したがって

A=−P3ε0,Ein=−P3ε0A=-\frac{P}{3\varepsilon_0},\qquad\boldsymbol{E}_{\text{in}}=-\frac{\boldsymbol{P}}{3\varepsilon_0}

です。内部の電場は分極と逆向きです(反電場)。

一様に磁化した球 M=Mez\boldsymbol{M}=M\boldsymbol{e}_z も同じ計算で解けます。自由電流はないので ∇×H=0\nabla\times\boldsymbol{H}=\boldsymbol{0}、H=−∇ψ\boldsymbol{H}=-\nabla\psi と書けます。B\boldsymbol{B} の法線成分の連続 μ0Hout,r=μ0(Hin,r+Mcos⁡θ)\mu_0H_{\text{out},r}=\mu_0(H_{\text{in},r}+M\cos\theta) から、ψ\psi について 2B/R3−A=M2B/R^3-A=M(ψin=−Arcos⁡θ\psi_{\text{in}}=-Ar\cos\theta、ψout=Bcos⁡θ/r2\psi_{\text{out}}=B\cos\theta/r^2)が得られ、上と同じ対応 P/ε0↔MP/\varepsilon_0\leftrightarrow M により

Hin=−M3,Bin=μ0(Hin+M)=23μ0M\boldsymbol{H}_{\text{in}}=-\frac{\boldsymbol{M}}{3},\qquad\boldsymbol{B}_{\text{in}}=\mu_0(\boldsymbol{H}_{\text{in}}+\boldsymbol{M})=\frac{2}{3}\mu_0\boldsymbol{M}

です。磁化した球の内部では、B\boldsymbol{B} は M\boldsymbol{M} と同じ向き、H\boldsymbol{H} は逆向きです。


定理 8.1(媒質中のポインティングの定理)✓

定理 6.2 の方程式のもとで、各点で

−Jf⋅E=E⋅∂D∂t+H⋅∂B∂t+∇⋅(E×H)-\boldsymbol{J}_f\cdot\boldsymbol{E}=\boldsymbol{E}\cdot\frac{\partial\boldsymbol{D}}{\partial t}+\boldsymbol{H}\cdot\frac{\partial\boldsymbol{B}}{\partial t}+\nabla\cdot(\boldsymbol{E}\times\boldsymbol{H})

が成り立つ。

証明(定理 8.1)

恒等式 ∇⋅(E×H)=H⋅(∇×E)−E⋅(∇×H)\nabla\cdot(\boldsymbol{E}\times\boldsymbol{H})=\boldsymbol{H}\cdot(\nabla\times\boldsymbol{E})-\boldsymbol{E}\cdot(\nabla\times\boldsymbol{H}) に、定理 6.2 の ∇×E=−∂tB\nabla\times\boldsymbol{E}=-\partial_t\boldsymbol{B} と ∇×H=Jf+∂tD\nabla\times\boldsymbol{H}=\boldsymbol{J}_f+\partial_t\boldsymbol{D} を代入すると ∇⋅(E×H)=−H⋅∂tB−E⋅Jf−E⋅∂tD\nabla\cdot(\boldsymbol{E}\times\boldsymbol{H})=-\boldsymbol{H}\cdot\partial_t\boldsymbol{B}-\boldsymbol{E}\cdot\boldsymbol{J}_f-\boldsymbol{E}\cdot\partial_t\boldsymbol{D} で、移項すれば主張です。

左辺 −Jf⋅E-\boldsymbol{J}_f\cdot\boldsymbol{E} は、自由電荷を電場に逆らって動かす外部の装置が、単位体積・単位時間あたりに系にする仕事です(自由電荷に電場がする仕事の符号を変えたもの)。右辺の最後の項は、領域の外へのエネルギーの流れ(ポインティング・ベクトル E×H\boldsymbol{E}\times\boldsymbol{H})です。

系 8.2(媒質のエネルギー密度)✓

源が有界な領域にあり、場が遠方で ∣E×H∣=o(r−2)|\boldsymbol{E}\times\boldsymbol{H}|=o(r^{-2}) と減衰するとする。全空間で積分すると、外部の装置が系にする仕事の割合は

−∫Jf⋅E dV=∫(E⋅∂D∂t+H⋅∂B∂t)dV.-\int\boldsymbol{J}_f\cdot\boldsymbol{E}\,dV=\int\Bigl(\boldsymbol{E}\cdot\frac{\partial\boldsymbol{D}}{\partial t}+\boldsymbol{H}\cdot\frac{\partial\boldsymbol{B}}{\partial t}\Bigr)dV .

媒質が線形で、D=εE\boldsymbol{D}=\varepsilon\boldsymbol{E}、B=μH\boldsymbol{B}=\mu\boldsymbol{H}(ε,μ\varepsilon,\mu は時間によらない正の関数)ならば、これは ddtW\dfrac{d}{dt}W に等しく、

W=12∫(E⋅D+H⋅B) dV.W=\frac12\int\bigl(\boldsymbol{E}\cdot\boldsymbol{D}+\boldsymbol{H}\cdot\boldsymbol{B}\bigr)\,dV .
証明(系 8.2)

前半は、定理 8.1 を半径 RR の球内で積分し、発散定理で ∫∇⋅(E×H)dV=∮SR(E×H)⋅dS\int\nabla\cdot(\boldsymbol{E}\times\boldsymbol{H})dV=\oint_{S_R}(\boldsymbol{E}\times\boldsymbol{H})\cdot d\boldsymbol{S} と直すことで得られます。この面積分の絶対値は 4πR2⋅o(R−2)=o(1)4\pi R^2\cdot o(R^{-2})=o(1) なので、R→∞R\to\infty で消えます。後半は、E⋅∂tD=εE⋅∂tE=∂t(ε∣E∣2/2)\boldsymbol{E}\cdot\partial_t\boldsymbol{D}=\varepsilon\boldsymbol{E}\cdot\partial_t\boldsymbol{E}=\partial_t(\varepsilon|\boldsymbol{E}|^2/2)、同様に H⋅∂tB=∂t(μ∣H∣2/2)\boldsymbol{H}\cdot\partial_t\boldsymbol{B}=\partial_t(\mu|\boldsymbol{H}|^2/2) だからです。

真空では ε=ε0\varepsilon=\varepsilon_0、μ=μ0\mu=\mu_0 で、真空のエネルギー密度(定義 6.1)[マクスウェル方程式と電磁波] に一致します。静電場だけなら、E=−∇V\boldsymbol{E}=-\nabla V と ∇⋅D=ρf\nabla\cdot\boldsymbol{D}=\rho_f から ∫E⋅D dV=−∫∇V⋅D dV=∫Vρf dV\int\boldsymbol{E}\cdot\boldsymbol{D}\,dV=-\int\nabla V\cdot\boldsymbol{D}\,dV=\int V\rho_f\,dV(部分積分、遠方の境界項は 00)なので、W=12∫ρfV dVW=\frac12\int\rho_fV\,dV です。誘電体があっても、静電エネルギーは自由電荷だけで書けます。

注意 8.3

強磁性体のように B\boldsymbol{B} と H\boldsymbol{H} が線形でない媒質では、12H⋅B\frac12\boldsymbol{H}\cdot\boldsymbol{B} はエネルギー密度になりません。B\boldsymbol{B} を B1\boldsymbol{B}_1 から B2\boldsymbol{B}_2 に変えるときの仕事 ∫H⋅dB\int\boldsymbol{H}\cdot d\boldsymbol{B} が経路に依存するためです。HH-BB 曲線が囲む面積 ∮H⋅dB\oint\boldsymbol{H}\cdot d\boldsymbol{B} が、1 サイクルあたり単位体積に失われる熱(ヒステリシス損)になります。

次の例は、エネルギーの式から力を求める典型例です。電池をつないだままだと、電池も仕事をするので、エネルギーの増加だけでは力が決まりません。電池の仕事を勘定に入れる点に注意してください。

例 8.4(コンデンサに誘電体を引き込む力)

幅 ww、長さ LL、間隔 dd の平行板コンデンサに、誘電率 ε\varepsilon の板を xx だけ差し込みます(縁の効果は無視)。静電容量は

C(x)=ε0wd(L−x)+εwdx=ε0wd(L+χex)C(x)=\frac{\varepsilon_0w}{d}(L-x)+\frac{\varepsilon w}{d}x=\frac{\varepsilon_0w}{d}\bigl(L+\chi_ex\bigr)

です。電圧 VV を一定に保つ電池を接続しているとき、エネルギー W=12CV2W=\frac12CV^2 の増加分のうち、電池がする仕事 V dQ=V2dCV\,dQ=V^2dC の半分がエネルギーになり、残り半分が板に力として働きます。力は F=12V2dCdx=ε0χewV22d>0F=\dfrac12V^2\dfrac{dC}{dx}=\dfrac{\varepsilon_0\chi_ewV^2}{2d}>0 で、板をコンデンサの内側に引き込む向きです。電荷 QQ を一定にした場合は W=Q2/(2C)W=Q^2/(2C) で F=−dW/dx=Q22C2dCdxF=-dW/dx=\frac{Q^2}{2C^2}\frac{dC}{dx} となり、Q=CVQ=CV を代入すると同じ値です。


演習 9.1易

面積 SS、間隔 dd の真空の平行板コンデンサに電荷 ±Q\pm Q を与えて電源を切り、間隔いっぱいに比誘電率 εr\varepsilon_r の誘電体を挿入した。静電エネルギーは何倍になるか。

解答

電荷 QQ は一定。挿入前は C0=ε0S/dC_0=\varepsilon_0S/d、挿入後は C=εrC0C=\varepsilon_rC_0 です。エネルギーは W=Q2/(2C)W=Q^2/(2C) なので、挿入後は W/W0=C0/C=1/εrW/W_0=C_0/C=1/\varepsilon_r 倍に減ります。減った分は、誘電体を引き込む力による仕事に使われます(例 8.4)。

演習 9.2標準

比誘電率 εr\varepsilon_r の誘電体が z<0z<0 を、真空が z>0z>0 を占め、界面に自由電荷はない。誘電体の内部の電場が界面の法線方向を向いていて大きさ E1E_1 のとき、界面に現れる束縛面電荷密度 σb\sigma_b と真空側の電場を求めよ。

解答

DnD_n の連続から、真空側の電場は E2=εrE1E_2=\varepsilon_rE_1 です。誘電体内の分極は P=ε0(εr−1)E1P=\varepsilon_0(\varepsilon_r-1)E_1、界面での外向き法線は +ez+\boldsymbol{e}_z なので σb=P⋅n=ε0(εr−1)E1\sigma_b=\boldsymbol{P}\cdot\boldsymbol{n}=\varepsilon_0(\varepsilon_r-1)E_1 です。確認として、定理 7.1 の代わりに EE の跳びで考えると、ε0(E2−E1)=ε0(εr−1)E1=σb\varepsilon_0(E_2-E_1)=\varepsilon_0(\varepsilon_r-1)E_1=\sigma_b でガウスの法則と合います。

演習 9.3難

z>0z>0 に誘電率 ε1\varepsilon_1、z<0z<0 に誘電率 ε2\varepsilon_2 の媒質があり、(0,0,d)(0,0,d) に自由点電荷 qq を置く。z>0z>0 では V1=14πε1(qR1+q′R2)V_1=\dfrac{1}{4\pi\varepsilon_1}\Bigl(\dfrac{q}{R_1}+\dfrac{q'}{R_2}\Bigr)、z<0z<0 では V2=14πε2q′′R1V_2=\dfrac{1}{4\pi\varepsilon_2}\dfrac{q''}{R_1}(R1,R2R_1,R_2 は (0,0,±d)(0,0,\pm d) までの距離)とおく。界面の条件を満たすように q′,q′′q',q'' を定めよ。

解答

z=0z=0 では R1=R2=ρ2+d2=:RR_1=R_2=\sqrt{\rho^2+d^2}=:R です。VV の連続から (q+q′)/ε1=q′′/ε2(q+q')/\varepsilon_1=q''/\varepsilon_2。DzD_z の連続 ε1∂zV1=ε2∂zV2\varepsilon_1\partial_zV_1=\varepsilon_2\partial_zV_2 に、z=0z=0 での ∂z(1/R1)=d/R3\partial_z(1/R_1)=d/R^3、∂z(1/R2)=−d/R3\partial_z(1/R_2)=-d/R^3 を使うと q−q′=q′′q-q'=q''。連立して

q′=−ε2−ε1ε2+ε1q,q′′=2ε2ε1+ε2qq'=-\frac{\varepsilon_2-\varepsilon_1}{\varepsilon_2+\varepsilon_1}q,\qquad q''=\frac{2\varepsilon_2}{\varepsilon_1+\varepsilon_2}q

です。実際 q+q′=2ε1ε1+ε2qq+q'=\frac{2\varepsilon_1}{\varepsilon_1+\varepsilon_2}q なので (q+q′)/ε1=2q/(ε1+ε2)=q′′/ε2(q+q')/\varepsilon_1=2q/(\varepsilon_1+\varepsilon_2)=q''/\varepsilon_2 で、q−q′=2ε2ε1+ε2q=q′′q-q'=\frac{2\varepsilon_2}{\varepsilon_1+\varepsilon_2}q=q'' も成り立ちます。各領域でラプラス方程式を満たし(点電荷の位置以外)、無限遠で減衰するので、命題 7.3 により唯一の解です。ε2→∞\varepsilon_2\to\infty(導体)では q′→−qq'\to-q、V2→0V_2\to0 で、接地導体の鏡像に戻ります。

演習 9.4標準

一様に磁化した半径 RR の球(磁化 M\boldsymbol{M})の外部の磁場は、どのような磁気モーメントの双極子場か。

解答

例 7.5 で A=−M/3A=-M/3、B=−AR3=MR3/3B=-AR^3=MR^3/3 です。外部の ψout=Bcos⁡θ/r2\psi_{\text{out}}=B\cos\theta/r^2 は H\boldsymbol{H} のスカラーポテンシャルで、磁気双極子 m\boldsymbol{m} のスカラーポテンシャル m⋅x4πr3=mcos⁡θ4πr2\dfrac{\boldsymbol{m}\cdot\boldsymbol{x}}{4\pi r^3}=\dfrac{m\cos\theta}{4\pi r^2} と比べて m=4πB=4π3R3Mm=4\pi B=\dfrac{4\pi}{3}R^3M、すなわち(磁化)×(体積)です。球全体が磁気モーメント m=MV球\boldsymbol{m}=\boldsymbol{M}V_{\text{球}} の一つの双極子として外に見えます。


  • J. D. Jackson『電磁気学(原書第 3 版)』(Classical Electrodynamics, 3rd ed., Wiley, 1999)— 第 4 章(Multipoles, Electrostatics of Macroscopic Media, Dielectrics)、第 5 章(Magnetostatics)、第 6 章。
  • D. J. Griffiths, Introduction to Electrodynamics, 4th ed., Cambridge University Press, 2017 — 第 4 章(Electrostatic Fields in Matter)、第 6 章(Magnetostatic Fields in Matter)。
  • L. D. Landau, E. M. Lifshitz, Electrodynamics of Continuous Media, 2nd ed., Pergamon Press, 1984 — 誘電体・磁性体の章。
  • 砂川重信『理論電磁気学(第 3 版)』紀伊國屋書店、1999 — 誘電体・磁性体の章。
  • R. P. Feynman, R. B. Leighton, M. Sands, The Feynman Lectures on Physics, Vol. II — 第 10 章(Dielectrics)、第 11 章(Inside Dielectrics)、第 34–36 章(磁性)。

このテーマの 100 本ノック(100 問)

執筆: Claude Code(Sonnet 5.5)・監査 2 回(Claude Code)・最終 2026-10-12

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