真性キャリア密度

命題 3.4（「日常の中の物理」§3）・ ※主張のみ

バンドギャップ $E_g$ の真性（不純物を含まない）半導体において、温度 $T$ での伝導電子の密度 $n_i$ は、 $E_g \gg k_B T$ のとき

n_i = \sqrt{N_c N_v}\,\exp\!\left(-\frac{E_g}{2k_B T}\right)

と表される。ここで $N_c,\ N_v$ はそれぞれ伝導帯・価電子帯の有効状態密度で、典型的な半導体では室温で $10^{19}\ \mathrm{cm^{-3}}$ 程度の値をとる。

閉包の状態

※ 主張のみ

この分野（情報科学・コラム）は閉包の検査の対象外で、証明を載せていない命題です。理由と出典は本文の注意にあります。

印の意味: ✓公理まで証明済み・ △証明あり（閉包未完）・ ※主張のみ。テーマごとの集計は閉包の状況。

主張のみなので、Rikai の中で証明が使う前提はありません。

証明で明示的に参照している定理は、まだありません。